Publication Details:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Retention flop boosting mechanism for self save/restore gapability
Other title:
Creator:
V. Sh. Melikyan ; H. P. Petrosyan ; A. M. Durgaryan ; E. H. Babayan ; N. Kh. Aslanyan
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Subject:
Uncontrolled Keywords:
power gating ; retention flop ; static power ; save time ; restore time ; leakage current
Coverage:
Abstract:
Power gating has been widely employed to reduce sub-threshold leakage. Data retention flops (RF) are used to preserve circuit states during power down, if the states are needed again after wakeup. These elements must be controlled by an extra power management unit, causing a network of control signals implemented with extra wires and buffers. In this paper analytical expression for RF parameters are presented. Սպառվող ստատիկ հզորության նվազարկման ամենատարածված եղանակը սնման լարման շրջափակումն է: Այդպիսի շրջափակման ընթացքում սխեմայի ընթացիկ վիճակը հիշելու նպատակով օգտագործվում են վիճակի պահպանման ռեգիստորներ (ՎՊՌ): Դրանք ղեկավարվում են արտաքին սնուցման ղեկավարման հանգույցով: Արդյունքում՝ սխեմայում մեծանում են միջմիացումների երկարությունները և բուֆերների քանակը: ՎՊՌ-ների բնութագրական պարամետրերի գնահատման համար ստացված են բանաձևեր: Наиболее распространенным способом уменьшения потребляемой статической мощности является блокировка напряжения питания. С целью запоминания текущего состояния схемы в течение такой блокировки используются регистры удержания состояния (РУС). Эти регистры управляются внешним узлом управления питанием. В результате увеличиваются длины межсоединений и количество буферов в схеме. Получены аналитические выражения определения характерных параметров РУС.
Place of publishing:
Երևան
Publisher:
Date created:
Type:
Format:
Call number:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան