Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2012

Volume:

47

Number:

6

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Մետաղ–մեկուսիչ էլեկտրոնային փուլային անցումները լայն արգելված գոտիով ZnO կիսահաղորդիչներում; Metal–insulator electronic phase transitions in wide-gap ZnO semiconductors

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

417-426

Abstract:

Исследованы электронные фазовые переходы металл–изолятор в широкозонных полупроводниках ZnO. Рассмотрено влияние дефектного комплекса, обусловленного кислородной вакансией и междоузельным атомом цинка, на переход металл–изолятор. Изучены особенности этого перехода в легированных донорной или акцепторной примесью пленках ZnO и влияние вышеуказанного дефектного комплекса на механизм транспорта носителей заряда. Ուսումնասիրված են լայն արգելված գոտիով ZnO կիսահաղորդիչներում մետաղեկուսիչ փուլային անցումները: Դիտարկված է թթվածնի ատոմի թափուրքով և միջհանգուցային ցինկի ատոմով պայմանավորված արատների համալիրի ազդեցությունները մետաղ–մեկուսիչ անցման վրա: Հետազոտված են այդ անցման առանձնահատկությունները դոնորային կամ ակցեպտորային խառնուկներով լեգիրված ZnO թաղանթներում և վերը նշված արատների համալիրի ազդեցությունը լիցքակիրների տեղափոխման մեխանիզմի վրա: Metal–insulator electronic phase transitions in wide-gap ZnO semiconductors have been studied. The influence of defect complex caused by oxygen vacancy and interstitial zinc atom on the metal–insulator transition is considered. The peculiarities of this transition in ZnO films doped with donor or acceptor impurity and the influence of mentioned defect complex on the charge carrier transfer mechanism were investigated.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2012-12-20

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134440

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան