"ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ" հանդեսը հիմնադրվել է 1944թ.: Լույս է տեսնում տարին 4 անգամ:
ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ = Доклады НАН РА = Reports NAS RA
Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) ; Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) ; Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) ; Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) ; Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) ; Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) ; Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (2018-)
Theoretical studies have suggested in the past that in degenerately doped n-GaN and related III-nitride epilayers the dielectric screening of highly negatively charged dislocations is governed by the ℏ -dependent Thomas-Fermi mechanism. Here we show how in this super-wide-gap material system the screening of the dislocation line charge can occur in a ℏ -independent way. We also describe the salient features of the critical carrier concentration, at which a crossover takes place between the quantum and classical screening regimes. Տեսական հետազոտությունների ներկա փուլում ընդունված է համարել, որ n-GaN էպիտաքսիալ թաղանթներում բացասական լիցք կրող դիսլոկացիաների էկրանավորումն իրագործվում է Թոմաս-Ֆերմիի քվանտային մեխանիզմի միջոցով: Այս ուսումնասիրության նպատակն էր՝ ցույց տալ, որ լայն արգելված գոտիով օժտված նիտրիդային համակարգերում դիսլոկացիոն լիցքի էկրանավորման մեխանիզմը կարող է ունենալ էականորեն այլ՝ դասական ծագում: Բնութագրված է Ֆերմի-գազի խտության այն տիրույթը, որտեղ դիսլոկացիաների էկրանավորման քվանտային մե խանիզմը փոխակերպվում է դասականի: На современном этапе теоретических исследований принято считать, что в вырожденном n-GaN экранирование отрицательно заряженных краевых дислокаций осуществляется посредством квантового механизма Томаса – Ферми. В настоящей работе показано, что в вырожденных широкозонных нитридных полупроводниках закон экранирования дислокационного заряда может иметь существенно иное – классическое происхождение. Изучены основные характеристики той критической концентрации Ферми-газа, ниже которой квантовый механизм экранирования заряженной дислокации заменяется классическим.
Երևան
oai:arar.sci.am:46723
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Oct 11, 2024
Mar 5, 2020
26
https://arar.sci.am/publication/52084
Edition name | Date |
---|---|
On the Screening of a Negatively Charged Dislocation Line in Degenerate GaN | Oct 11, 2024 |
L. B. Hovakimian H. H. Matevosyan H. B. Nersisyan K. A. Sargsyan Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018) Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (2018-)
H. B. Nersisyan C. Toepffer H. H. Matevosyan
H. B. Nersisyan H. H. Matevosyan
H. B. Nersisyan D. A. Osipyan K. A. Sargsyan M. V. Sargsyan H. H. Matevosyan
Д. М. Седракян Д. А. Бадалян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Л. А. Оганнесян Г. А. Мурадян А. Ж. Мурадян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
О. С. Тихова Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Э. А. Газазян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)