Հրապարակման մանրամասներ:

"ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ" հանդեսը հիմնադրվել է 1944թ.: Լույս է տեսնում տարին 4 անգամ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ = Доклады НАН РА = Reports NAS RA

Հրապարակման ամսաթիւ:

2015

Հատոր:

115

Համար:

4

ISSN:

0321-1339

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար

Այլ վերնագիր:

ՖինՖԵՏ հիշող սարքերի ներդրված թեստավորման ընթացք / Գ. Ա. Ճաղարյան։ Последовательность встроенного тестирования для устройств памяти, основанных на технологии ФинФЕТ / Г. А. Джагарян.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) ; Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) ; Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) ; Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) ; Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) ; Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) ; Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (2018-)

Ծածկոյթ:

276-283

Ամփոփում:

Rapidly developing FinFET technology, alternative to the conventional planar technology, plays an important role in routing modern silicon industry. Due to their unique structure, the defect types and corresponding fault models for FinFET transistors are different compared to planar ones. As a result the established flow used for synthesizing the embedded test solutions for MOSFET-based memory devices does not enable a smooth transition to FinFET-based devices. Արագորեն զարգացող ՖինՖԵՏ տեխնոլոգիան՝ ավանդական պլանար տեխնոլոգիայի այլընտրանքը, շատ կարևոր դեր է խաղում ժամանակակից սիլիկոնային արդյունաբերության ուղղորդման գործում: Շնորհիվ իրենց յուրահատուկ կառուցվածքի` ՖինՖԵՏ տրանզիստորների դեֆեկտների տիպերը և համապատասխան անսարքությունների մոդելները տարբերվում են պլանար տրանզիստորներից: Արդյունքում ներդրված հիշող սարքերի թեստավորում անլուծումների սինթեզման համար օգտագործվող ամրագրված ընթացակարգը չի կարող սահուն կիրառվել ՖինՖԵՏ հիշող սարքերի համար: Быстро развивающаяся технология ФинФЕТ, альтернатива существующей планарной технологии, играет важную роль в развитии современной силиконовой промышленности. Благодаря их уникальной структуре типы дефектов и соответствующие модели неисправностей для ФинФЕТов отличаются по сравнению с планарными транзисторами. В результате уже существующая процедура, используемая для синтеза встроенных решений по тестированию устройств памяти, основанных на технологии МОСФЕТ, не позволяет плавно перейти к устройствам памяти, основанным на технологии ФинФЕТ.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2015-12-15

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:46720

Դասիչ:

АЖ 144

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան