"ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ" հանդեսը հիմնադրվել է 1944թ.: Լույս է տեսնում տարին 4 անգամ:
ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ = Доклады НАН РА = Reports NAS RA
սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար
Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) ; Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) ; Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) ; Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) ; Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) ; Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) ; Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (2018-)
Rapidly developing FinFET technology, alternative to the conventional planar technology, plays an important role in routing modern silicon industry. Due to their unique structure, the defect types and corresponding fault models for FinFET transistors are different compared to planar ones. As a result the established flow used for synthesizing the embedded test solutions for MOSFET-based memory devices does not enable a smooth transition to FinFET-based devices. Արագորեն զարգացող ՖինՖԵՏ տեխնոլոգիան՝ ավանդական պլանար տեխնոլոգիայի այլընտրանքը, շատ կարևոր դեր է խաղում ժամանակակից սիլիկոնային արդյունաբերության ուղղորդման գործում: Շնորհիվ իրենց յուրահատուկ կառուցվածքի` ՖինՖԵՏ տրանզիստորների դեֆեկտների տիպերը և համապատասխան անսարքությունների մոդելները տարբերվում են պլանար տրանզիստորներից: Արդյունքում ներդրված հիշող սարքերի թեստավորում անլուծումների սինթեզման համար օգտագործվող ամրագրված ընթացակարգը չի կարող սահուն կիրառվել ՖինՖԵՏ հիշող սարքերի համար: Быстро развивающаяся технология ФинФЕТ, альтернатива существующей планарной технологии, играет важную роль в развитии современной силиконовой промышленности. Благодаря их уникальной структуре типы дефектов и соответствующие модели неисправностей для ФинФЕТов отличаются по сравнению с планарными транзисторами. В результате уже существующая процедура, используемая для синтеза встроенных решений по тестированию устройств памяти, основанных на технологии МОСФЕТ, не позволяет плавно перейти к устройствам памяти, основанным на технологии ФинФЕТ.
Երևան
oai:arar.sci.am:46720
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Oct 11, 2024
Mar 5, 2020
31
https://arar.sci.am/publication/52081
Հրատարակության անուն | Ամսաթիվ |
---|---|
Built-In Test Flow for FinFET-based Memory Devices | Oct 11, 2024 |
Sargsyan, Shushanik A. Edita G. Gzoyan
E. P. Serrano M. I. Troparevsky M. A. Fabio Գլխավոր խմբ․՝ Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1966-1994) Ռ․ Վ․ Համբարձումյան (1994-2009) Ա․ Ա․ Սահակյան (2010-)
Andranik E. Mkhitaryan Arthur S. Petrosyan Aram S. Nanassian
Levon M. Hovsepyan Aren K. Mayilyan
Artur P. Vardanyan Vladimir G. Sahakyan
Andranik E. Mkhitaryan Arthur S. Petrosyan Aram S. Nanassian