Publication Details:
"ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ" հանդեսը հիմնադրվել է 1944թ.: Լույս է տեսնում տարին 4 անգամ:
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ = Доклады НАН РА = Reports NAS RA
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Title:
On the Screening of a Negatively Charged Dislocation Line in Degenerate GaN
Other title:
Creator:
S. A. Babayan ; L. B. Hovakimian ; H. H. Matevosyan ; H. B. Nersisyan
Contributor(s):
Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) ; Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) ; Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) ; Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) ; Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) ; Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) ; Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (2018-)
Subject:
Uncontrolled Keywords:
gallium nitride ; charged dislocation ; quantum electron gas ; screening
Coverage:
Abstract:
Theoretical studies have suggested in the past that in degenerately doped n-GaN and related III-nitride epilayers the dielectric screening of highly negatively charged dislocations is governed by the ℏ -dependent Thomas-Fermi mechanism. Here we show how in this super-wide-gap material system the screening of the dislocation line charge can occur in a ℏ -independent way. We also describe the salient features of the critical carrier concentration, at which a crossover takes place between the quantum and classical screening regimes. Տեսական հետազոտությունների ներկա փուլում ընդունված է համարել, որ n-GaN էպիտաքսիալ թաղանթներում բացասական լիցք կրող դիսլոկացիաների էկրանավորումն իրագործվում է Թոմաս-Ֆերմիի քվանտային մեխանիզմի միջոցով: Այս ուսումնասիրության նպատակն էր՝ ցույց տալ, որ լայն արգելված գոտիով օժտված նիտրիդային համակարգերում դիսլոկացիոն լիցքի էկրանավորման մեխանիզմը կարող է ունենալ էականորեն այլ՝ դասական ծագում: Բնութագրված է Ֆերմի-գազի խտության այն տիրույթը, որտեղ դիսլոկացիաների էկրանավորման քվանտային մե խանիզմը փոխակերպվում է դասականի: На современном этапе теоретических исследований принято считать, что в вырожденном n-GaN экранирование отрицательно заряженных краевых дислокаций осуществляется посредством квантового механизма Томаса – Ферми. В настоящей работе показано, что в вырожденных широкозонных нитридных полупроводниках закон экранирования дислокационного заряда может иметь существенно иное – классическое происхождение. Изучены основные характеристики той критической концентрации Ферми-газа, ниже которой квантовый механизм экранирования заряженной дислокации заменяется классическим.
Place of publishing:
Երևան
Publisher:
Date created:
Type:
Format:
Call number:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան