Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2026

Volume:

61

Number:

4

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Additional Information:

Սահակյան Մ. Տ., Sahakyan M. T.

Other title:

Au-օժանդակված աճով InAs և InSb նեղ գոտիական կիսահաղորդչային նանոբեղիկների ստացում և բնութագրում ; Fabrication and Characterization of Au-Assisted InAs and InSb Narrow-Band-Gap Semiconductor Nanowhiskers

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

627-638

Abstract:

Исследован Au-ассистированный газофазный перенос для получения узкозонных наноструктур InAs и InSb. Наночастицы Au наносили на полупроводниковые подложки методом центрифугирования, после чего рост проводили в трубчатой печи при температуре 500–550°C в течение 30–60 мин. Морфологию, элементный и химический состав полученных структур исследовали методами SEM, EDX и XPS. Показано, что Au сохраняется на поверхности InAs после термической обработки и участвует в формировании локализованных наноструктур. Для системы InSb/Au/InAs выявлены Sb-содержащие области, пространственно связанные с Au, а XPS подтвердил образование In–Sb-содержащего поверхност- ного слоя. В системе InAs/InAs сформированы нановискерные структуры с терминальными каплеобразными образованиями, характерными для Au- ассистированного роста. Полученные результаты подтверждают перспективность предложенного подхода для контролируемого формирования нанострук- тур III–V.
Հետազոտվել է Au-օժանդակված գազափուլային տեղափոխման եղանակը՝ InAs և InSb նեղարգելված նանոկառուցվածքների ստացման համար։ Au նանոմասնիկները ցենտրիֆուգման մեթոդով նստեցվել են կիսահաղորդչային տակդիրների վրա, որից հետո աճեցումն իրականացվել է խողովակային վառարանում 500–550 °C ջերմաստիճանում՝ 30–60 րոպե տևողությամբ։ Ստացված կառուցվածքների մորֆոլոգիան, տարրային և քիմիական կազմը հետազոտվել են սկանավորող էլեկտրոնային մանրադիտակման (SEM), էներգադիսպերսիոն ռենտգենյան սպեկտրոսկոպիայի (EDX) և ռենտգենյան ֆոտոէլեկտրոնային սպեկտրոսկոպիայի (XPS) մեթոդներով։ Ցույց է տրվել, որ ջերմային մշակումից հետո Au-ն պահպանվում է InAs-ի մակերևույթին՝ տեղայնացված Au պարունակող կենտրոնների տեսքով։ InSb/Au/InAs համակարգում հայտնաբերվել են Au-ի հետ տարածականորեն կապված Sb պարունակող տիրույթներ, իսկ XPS հետազոտությունը հաստատել է InAs տակդիրի վրա In–Sb պարունակող նյութի ձևավորումը։ InAs/InAs համակարգում ձևավորվել են տարբեր չափերի և ֆասետավորված մորֆոլոգիայով նանոկառուցվածքներ։ Ստացված արդյունքները ցույց են տալիս առաջարկված մոտեցման կիրառելիությունը III-V դասի նեղարգելված նանոկառուցվածքների վերահսկելի ձևավորման համար։
Au-assisted vapor-phase transport was investigated for the fabrication of narrowbandgap InAs and InSb nanostructures. Au nanoparticles were deposited onto semiconductor substrates by spin coating, after which growth was carried out in a tube furnace at 500–550°C for 30–60 min. The morphology, elemental composition, and chemical composition of the resulting structures were investigated by scanning electron microscopy (SEM), energydispersive X-ray spectroscopy (EDX), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). It was shown that Au remains on the InAs surface after thermal treatment in the form of localized Aucontaining centers. In the InSb/Au/InAs system, Sb-containing regions spatially associated with Au were identified, while XPS confirmed the formation of In–Sb-containing material above the InAs substrate. In the InAs/InAs system, nanostructures of different sizes and faceted morphology were formed. The obtained results demonstrate the applicability of the proposed approach for the controlled formation of narrow-band-gap III-V nanostructures.

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:441015

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան