Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2024

Հատոր:

77

Համար:

4

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Կարապետյան Լ. Կ., Карапетян Л. К.

Այլ վերնագիր:

GaN HEMT տրանզիստորներով միկրոալիքային ինտեգրալս խեմաների նախագծման առկա վիճակը և հիմնահարցերը ; Современное состояние и основы проектирования сверхвысокочастотных интегральных схем странзисторами GaN HEMT

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

459-472

Ամփոփում:

Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) are key parts of microwave integrated circuits (MICs) because of their high electron mobility, wide band gap, critical field, permittivity and exceptional thermal conductivity. These options allow GaN HEMTs to work at higher frequencies and power levels than traditional silicon-based transistors. For the RF and microwave systems, this gives them efficiency. The importance of GaN HEMTs in MICs can be listed as follows: higher power density, improved efficiency, wide frequency operation, thermal stability. These benefits make GaN HEMTs a crucial technology for communication systems today, defense and space technologies. Different proposed technologies of recent years on GaN HEMTs have been summarized and compared. The relatively commonly used GaN HEMT types are presented, including their models. 3 main sub-branches of GaN HEMT are discussed: types of transistors, transistor models and characteristics and MICs design. Each of them has its own advantages and disadvantages, depending on the problem, the most suitable one can be chosen. As a result, several important problems are highlighted, such as performance optimization, thermal management solutions, reliability and longevity, signal integrity and noise reduction, future research directions, etc.
Գալիումի նիտրիդի (GaN) բարձր էլեկտրոնային շարժունակությամբ տրանզիստորները (HEMT) միկրոալիքային ինտեգրալ սխեմաների (MIC) հիմնական մասերն են՝ իրենց բարձր էլեկտրոնային շարժունակության, լայն արգելման գոտու, կրիտիկական դաշտի, թափանցելիության և բացառիկ ջերմահաղորդականության շնորհիվ: Այս տարբերակները թույլ են տալիս GaN HEMT-ներին՝ աշխատել ու ավելի բարձր հաճախականություններով և հզորության մակարդակներով, քան ավանդական սիլիցիումային տրանզիստորները: Ռադիոհաճախականության և միկրոալիքային համակարգերի դեպքում դա նրանց ապահովում է արդյունավետություն: GaN HEMT-ների կարևորությունը MIC-ներում կարելի է թվարկել հետևյալ կերպ՝ ավելի բարձր հզորությամբ խտություն, բարելավված արդյունավետություն, լայն հաճախականությամբ աշխատանք, ջերմային կայունություն: Այս առավելությունները GaN HEMT-ները դարձնում են կարևորագույն տեխնոլոգիա այսօրվա կապի համակարգերի, պաշտպանական և տիեզերական տեխնոլոգիաների ոլորտներում: Վերջին տարիներին GaN HEMT-ների վերաբերյալ առաջարկվող տարբեր տեխնոլոգիաներ ամփոփվել և համեմատվել են: Ներկայացվում են համեմատաբար հաճախ օգտագործվող GaN HEMT-ների տեսակները, ներառյալ դրանց մոդելները: Քննարկվում են GaN HEMT-ի 3 հիմնական ենթաճյուղեր՝ տրանզիստորների տեսակները, տրանզիստորների մոդելներն ու բնութագրերը և MIC-ների նախագծումը: Դրանցից յուրաքանչյուրն ունի իր առավելություններն ու թերությունները, և կախված խնդրից՝ կարելի է ընտրել ամենահարմարը: Արդյունքում, ընդգծվում են մի քանի կարևոր խնդիրներ, ինչպիսիք են՝ աշխատանքի օպտիմալացումը, ջերմային կառավարման լուծումները, հուսալիությունը և երկարակեցությունը, ազդանշանի ամբողջականությունը և աղմուկի նվազեցումը, ապագա հետազոտությունների ուղղությունները և այլն։

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:427595

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան