Агамалян, Н. ; Овсепян, Р. ; Нерсисян, М. ; Петросян, С. ; Бадалян, Г. ; Гамбарян, И. ; Погосян, А. ; Кафадарян, Е.
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Ցինկիօքսիդի, արգենտումով լեգիրավորված թաղանթների оպտիկական և էլեկտրական հատկությունները ; Optical and Electrical Properties of Silver-Doped Zinc Oxide Films
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Оптические и электрические свойства пленок AgxZn1–xO (AgZnO), леги- рованных серебром c концентрациями х = 0.05 и 0.24 ат%, исследованы с использованием рентгеновской дифракции, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, а также измерений сопротивления, пропускания и отражения. Плёнки с содержанием серебра 0.05 ат% и неотожженные пленки с 0.24 ат% Ag проявляют n-тип проводимости, тогда как отожжённые плёнки с 0.24 ат% Ag де- монстрируют p-тип проводимости. Кристаллиты в плёнках AgZnO с 0.05 ат% и 0.24 ат%Ag имеют размеры 24 нм и 28 нм соответственно. В плёнке ZnO, леги- рованной 0.24 ат% Ag, наблюдаются: красный сдвиг ширины запрещённой зоны на 0.02 эВ, проявление характерных поляронных особенностей в диапазоне 900– 3700 см⁻¹, а также фазовый переход из парамагнитного состояния в диамагнитное. Плёнка ZnO, легированная 0.05 ат% Ag характеризовалась отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Концентрация 0.24 ат% является оптимальной для получения p-типа проводимости и формирования поляронных состояний, тогда как плёнка с 0.05 ат% Ag перспективна для применения в тепловых сенсорах.
Արծաթով լեգիրացված ցինկի օքսիդի (AgZnO) թաղանթների՝ 0.05 և 0.24 ատ% արծաթի պարունակությամբ օպտիկական և էլեկտրական հատկությունները ուսումնասիրվել են XRD, EDS, դիմադրության, լուսաթափանցման և անդրադարձման չափումների միջոցով։ 0.05 ատ% AgZnO և չմշակված 0.24 ատ․% AgZnO թաղանթները ցուցաբերել են n-տիպի լեգիրավորում, մինչդեռ ջերմամշակված 0.24 ատ% AgZnO թաղանթը ցուցաբերել է p-տիպի լեգիրավորում։ 0.05 և 0.24 ատ% AgZnO թաղանթների բյուրեղիկների չափերը եղել են համապատասխանաբար 24 և 28 նմ։ 0.24 ատ․% AgZnO նմուշում դիտվել է 0.02 eV կարմիր շեղում։ Նույն նմուշում (0.24 ատ.% Ag) գրանցվել են պոլարոնային հատկանիշներ 900–3700 սմ⁻¹ միջակայքում և անցում՝ պարամագնիսական վիճակից դիամագնիսական վիճակի։ 0.05 ատ.% AgZnO նմուշը ցուցաբերել է դիմադրության բացասական ջերմաստիճանային գործակից՝ –3.35×10⁻⁵ Ω·սմ·K⁻¹ արժեքով 5–54 K միջակայքում և – 1.24×10⁻⁵ Ω·սմ·K⁻¹ արժեքով 54-ից 380 K միջակայքում, ինչը վկայում է կիսահաղորդչային վարքագծի մասին։ Այս արդյունքները ցույց են տալիս, որ 0.24 ատ% արծաթի պարունակությունը նպաստավոր է ZnO-ում p-տիպի լեգիրավորման և պոլարոնների ձևավորման համար, մինչդեռ 0.05 ատ․% AgZnO թաղանթը կարող է կիրառվել ջերմաստիճանային զգայունության կիրառություններում։
The optical and electrical properties of silver-doped ZnO (AgZnO) films with Ag concentrations of 0.05 and 0.24 at% were analyzed using XRD, EDS, resistance, transmittance and reflectance measurements. The 0.05 at% AgZnO and as-deposited 0.24 at% AgZnO films exhibited n-type doping, whereas the annealed 0.24 at% AgZnO films showed p-type doping. The crystallite sizes of the 0.05 and 0.24 at% AgZnO films were 24 and 28 nm. The redshift of the band gap was 0.02 eV for 0.24 at% AgZnO. The sample with 0.24 at% Ag exhibits a polaron features in the range 900–3700 cm⁻¹, and demonstrated a paramagnetic-to-diamagnetic transition. The 0.05 at% AgZnO film showed a negative temperature coefficient of resistivity. These findings suggest that a 0.24 at% Ag concentration is favorable for achieving p-type doping in ZnO and for the formation of polarons, whereas the 0.05 at% AgZnO film could be used for thermal sensing applications.
click here to follow the link ; oai:arar.sci.am:422307
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Nov 5, 2025
Nov 5, 2025
4
https://arar.sci.am/publication/454784
| Edition name | Date |
|---|---|
| Агамалян, Н., Оптические и электрические свойства пленок оксида цинка, легированных серебром | Nov 5, 2025 |
А. С. Игитян Е. А. Кафадарян Н. Р. Агамалян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян И. А. Гамбарян Р. К. Овсепян О. С. Семерджян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Агамалян, Н. Р. Папикян, А. К. Овсепян, Р. К. Петросян, С. И. Бадалян, Г. Р. Гамбарян, И. А. Кафадарян, Е. А. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян И. А. Гамбарян Е. А. Кафадарян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян А. К. Ширинян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян Е. А. Кафадарян Р. Б. Костанян С. И. Петросян Г. О. Ширинян М. Н. Нерсисян А. Х. Абдуев А. Ш. Асваров Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Р. К. Овсепян Н. Р. Агамалян Е. А. Кафадарян Г. Г. Мнацаканян А. А. Аракелян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)