Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2024

Հատոր:

77

Համար:

3

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Саакян Г. Г., Սահակյան Հ. Հ.

Այլ վերնագիր:

Пнт-отслеживающая схема детектирования напряжения питания для надежной работы преобразователей уровня напряжения ; Լարման մակարդակի փոխարկիչների հուսալի աշխատանքը բազմալարումային ինտեգրալ սխեմաներում ապահովող, գլջ շեղումներին հետևող սնուցման լարման հայտնաբերման շղթա

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

349-356

Ամփոփում:

In modern integrated circuits (ICs) operating across multiple supply voltage domains, precise power sequencing is essential to ensure reliable system initialization and prevent undefined behavior during power-up and transient conditions. Power-On Reset (POR) and Power-Good (PG) circuits are commonly employed to monitor supply voltages and signal when power levels are stable and within operational ranges. These signals gate critical functions such as level shifter enabling, state machine initialization, and downstream circuit activation. However, the conventional design of POR and PG circuits often involves significant overdesign to guarantee robust performance across the wide range of Process, Voltage, and Temperature (PVT) variations present in advanced semiconductor manu-facturing nodes. A novel power detection approach is proposed with simplified design and PVT resilient behavior that ensures the reliable operation of the level shifting circuits with defined failure states. The proposed methodology is implemented and verified using the SAED 14nm FinFET technology.
Ժամանակակից ինտեգրալ սխեմաներում (ԻՍ), որոնք աշխատում են բազմաթիվ սնուցման լարումների միջոցով, հստակ սնուցման լարման հաջորդականությունը կարևոր է համակարգի հուսալի մեկնարկի, սնուցման և անցումային պայմանների դեպքում անորոշ վարքագծի կանխարգելման համար: Սովորաբար կիրառվում են սխեմաներ, որոնք վերահսկում են սնուցման լարումները և ազդանշան տալիս, երբ լարման մակարդակները կայուն են և գտնվում են գործառության սահմաններում: Այս ազդանշանները կառավարում են կարևոր գործառույթներ, ինչպիսիք են լարման մակարդակի փոխարկիչների ակտիվացումը և ներքին շղթաների միացումը։ Սակայն այս գործառույթներն ապահովող ավանդական սխեմաների նախագծումը հաճախ պահանջում է նախագծման զգալի կրկնակներ՝ ապահովելու հուսալի աշխատանքը արտադրական գործընթացի, լարումային և ջերմաստիճանային (ԳԼՋ) փոփոխությունների լայն տիրույթում, որոնք առկա են առաջավոր կիսահաղորդչային արտադրական հանգույցներում: Առաջարկվում է նորարարական սնուցման լարման հայտնաբերման մեթոդ, որն ունի պարզեցված կառուցվածք և ԳԼՋ շեղումներին հետևող վարքագիծ, ապահովելով լարման մակարդակի փոխարկիչների հուսալի աշխատանքը: Առաջարկվող շղթան նախագծվել և մոդելավորվել է ՍԱՈՒԴ 14nm FinFET տեխնոլոգիայի կիրառմամբ:
В современных интегральных схемах (ИС), работающих в условиях нескольких доменов напряжения питания, точное управление последовательностью подачи питания имеет решающее значение для надежной инициализации системы и предотвращения неопределенного поведения во время включения и переходных процессов. Схемы Power-On Reset (POR) и Power-Good (PG) обычно используются для мониторинга напряжений питания и формирования сигнала, когда уровни напряжения стабильны и находятся в рабочих диапазонах. Эти сигналы управляют важными функциями, такими как включение уровневых преобразователей, инициализация конечных автоматов и активация последующих схем. Однако традиционное проектирование схем POR и PG часто требует значительного запаса по проектированию для обеспечения надежной работы в широком диапазоне изменений технологического процесса, напряжения и температуры (ПНТ), характерных для современных полупроводниковых производств. В данной работе предлагается новый подход к детектированию напряжения питания с упрощенной конструкцией и устойчивостью к ПНТ-изменениям, который обеспечивает надежную работу уровневых преобразователей с предсказуемым поведением в условиях отказа. Предложенная методология была реализована и проверена с использованием САУД 14nm FinFET технологии.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:397139

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան