Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2015

Հատոր:

68

Համար:

4

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Метод снижения влияния эффекта близости кармана в 32/28 нм технологическом процессе / О. Г. Касарджян. A method for decreasing the impact of the well proximity effect in the 32/28 nm technological process / H. G. Kasarjyan.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

491-496

Ամփոփում:

Գրպանիկի մոտիկության երևույթի նվազեցման նպատակով ընտրվել է հոսանքի հայելու N-ՄՕԿ տրանզիստորներով իրականացված սխեմա, որը համեմատվել է P-ՄՕԿ տրանզիստորներով իրականացված սխեմայի պարամետրերի հետ: Для снижения эффекта близости кармана выбрана схема токового зеркала с N-МОП транзисторами. Проведено сравнение полученных данных с параметрами схемы на P-МОП транзисторах. For decreasing the well proximity effect on the final results of the physical design of a current mirror, N-MOS transistors are selected. The obtained data are compared with the parameters of the scheme with the P-MOS transistors.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

Հայաստանի ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2015-12-12

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:33026

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան