32/28նմ տեխնոլոգիական գործընթացում գրպանիկի մոտիկության երևույթի ազդեցության նվազեցման եղանակ

Метод снижения влияния эффекта близости кармана в 32/28 нм технологическом процессе / О. Г. Касарджян. A method for decreasing the impact of the well proximity effect in the 32/28 nm technological process / H. G. Kasarjyan.

Հ. Գ. Կասարջյան

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Technology

գրպանիկի մոտիկության երևույթ ; հոսանքի հայելի ; շեմային լարում ; տրանզիստորի հոսանքի շեղում:

491-496

Գրպանիկի մոտիկության երևույթի նվազեցման նպատակով ընտրվել է հոսանքի հայելու N-ՄՕԿ տրանզիստորներով իրականացված սխեմա, որը համեմատվել է P-ՄՕԿ տրանզիստորներով իրականացված սխեմայի պարամետրերի հետ: Для снижения эффекта близости кармана выбрана схема токового зеркала с N-МОП транзисторами. Проведено сравнение полученных данных с параметрами схемы на P-МОП транзисторах. For decreasing the well proximity effect on the final results of the physical design of a current mirror, N-MOS transistors are selected. The obtained data are compared with the parameters of the scheme with the P-MOS transistors.

Երևան

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան