Օբյեկտ

Վերնագիր: Design method of low-leakage hybrid 9T-SRAM

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2011

Հատոր:

vol. 64

Համար:

№ 3

ISSN:

0002-306X

Այլ վերնագիր:

Փոքր կորստային հոսանքով 9Տ հիբրիդային կառուցվածքով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի նախագծման մեթոդ / Վ. Շ. Մելիքյան, Ն. Ս. Էմինյան, Ս. Գ. Չոբանյան, Ն. Հ. Բեգլարյան։ Метод проектирования гибридного статического оперативного запоминающего устойства с малым током утечки / В. Ш. Меликян, Н. С. Эминян, С. Г. Чобанян, Н. О. Бегларян.

Ծածկույթ:

265-274

Ամփոփում:

This paper presents a new method based on hybrid 9T cell for low-leakage SRAM design. The proposed method is based on the phenomenon that the read and write delays of a SRAM block’s memory cell depend on the geometric distance of the cell from the sense amplifier and the decoder. The key idea is to use different types of 9T-SRAM cells corresponding to different threshold voltages for each transistor in the mentioned cell. Ներկայացվում է փոքր հոսակորստով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի (ՍՕՀՍ) նախագծման` հիբրիդային 9Տ տարրի վրա հիմնված նոր մեթոդ: Առաջարկված մեթոդը հիմնված է այն երևույթի վրա, որ ՍՕՀՍ տարրի ընթերցման և գրառման հապաղումները կախված են զգայունության ուժեղարարից ու վերծանիչից ունեցած երկրաչափական հեռավորություններից: Մեթոդը հիմնված է տարբեր տեսակի 9Տ-ՍՕՀՍ տարրերի օգտագործման վրա` տարրի յուրաքանչյուր տրանզիստորի համար` տարբեր շեմային լարումներ: Представлен новый метод проектирования статического оперативного запоминающего устройства (СОЗУ) с малым током утечки, основанный на гибридной ячейке. Метод основан на том, что времена считывания и записи ячейки СОЗУ зависят от геометрического расстояния ячейки от усилителя считывания и декодера. Ключевая идея этой статьи состоит в использовании различных типов ячеек 9Т-СОЗУ, соответствующих различным пороговым напряжениям для каждого транзистора в упомянутой ячейке.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2011-09-16

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32769

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Mar 9, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Mar 3, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

1

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/36485

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Design method of low-leakage hybrid 9T-SRAM Mar 9, 2021

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն