Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2011

Հատոր:

64

Համար:

3

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Փոքր կորստային հոսանքով 9Տ հիբրիդային կառուցվածքով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի նախագծման մեթոդ / Վ. Շ. Մելիքյան, Ն. Ս. Էմինյան, Ս. Գ. Չոբանյան, Ն. Հ. Բեգլարյան։ Метод проектирования гибридного статического оперативного запоминающего устойства с малым током утечки / В. Ш. Меликян, Н. С. Эминян, С. Г. Чобанян, Н. О. Бегларян.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

265-274

Ամփոփում:

This paper presents a new method based on hybrid 9T cell for low-leakage SRAM design. The proposed method is based on the phenomenon that the read and write delays of a SRAM block’s memory cell depend on the geometric distance of the cell from the sense amplifier and the decoder. The key idea is to use different types of 9T-SRAM cells corresponding to different threshold voltages for each transistor in the mentioned cell. Ներկայացվում է փոքր հոսակորստով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի (ՍՕՀՍ) նախագծման` հիբրիդային 9Տ տարրի վրա հիմնված նոր մեթոդ: Առաջարկված մեթոդը հիմնված է այն երևույթի վրա, որ ՍՕՀՍ տարրի ընթերցման և գրառման հապաղումները կախված են զգայունության ուժեղարարից ու վերծանիչից ունեցած երկրաչափական հեռավորություններից: Մեթոդը հիմնված է տարբեր տեսակի 9Տ-ՍՕՀՍ տարրերի օգտագործման վրա` տարրի յուրաքանչյուր տրանզիստորի համար` տարբեր շեմային լարումներ: Представлен новый метод проектирования статического оперативного запоминающего устройства (СОЗУ) с малым током утечки, основанный на гибридной ячейке. Метод основан на том, что времена считывания и записи ячейки СОЗУ зависят от геометрического расстояния ячейки от усилителя считывания и декодера. Ключевая идея этой статьи состоит в использовании различных типов ячеек 9Т-СОЗУ, соответствующих различным пороговым напряжениям для каждого транзистора в упомянутой ячейке.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2011-09-16

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32769

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան