Object structure

Փոքր կորստային հոսանքով 9Տ հիբրիդային կառուցվածքով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի նախագծման մեթոդ / Վ. Շ. Մելիքյան, Ն. Ս. Էմինյան, Ս. Գ. Չոբանյան, Ն. Հ. Բեգլարյան։ Метод проектирования гибридного статического оперативного запоминающего устойства с малым током утечки / В. Ш. Меликян, Н. С. Эминян, С. Г. Чобанян, Н. О. Бегларян.

V. Sh. Melikyan ; N. S. Eminyan ; S. G. Chobanyan ; N. H. Beglaryan

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Technology

static random access memory (SRAM) ; 9T cell ; low-leakage design ; multiple threshold voltages.

265-274

This paper presents a new method based on hybrid 9T cell for low-leakage SRAM design. The proposed method is based on the phenomenon that the read and write delays of a SRAM block’s memory cell depend on the geometric distance of the cell from the sense amplifier and the decoder. The key idea is to use different types of 9T-SRAM cells corresponding to different threshold voltages for each transistor in the mentioned cell. Ներկայացվում է փոքր հոսակորստով ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի (ՍՕՀՍ) նախագծման` հիբրիդային 9Տ տարրի վրա հիմնված նոր մեթոդ: Առաջարկված մեթոդը հիմնված է այն երևույթի վրա, որ ՍՕՀՍ տարրի ընթերցման և գրառման հապաղումները կախված են զգայունության ուժեղարարից ու վերծանիչից ունեցած երկրաչափական հեռավորություններից: Մեթոդը հիմնված է տարբեր տեսակի 9Տ-ՍՕՀՍ տարրերի օգտագործման վրա` տարրի յուրաքանչյուր տրանզիստորի համար` տարբեր շեմային լարումներ: Представлен новый метод проектирования статического оперативного запоминающего устройства (СОЗУ) с малым током утечки, основанный на гибридной ячейке. Метод основан на том, что времена считывания и записи ячейки СОЗУ зависят от геометрического расстояния ячейки от усилителя считывания и декодера. Ключевая идея этой статьи состоит в использовании различных типов ячеек 9Т-СОЗУ, соответствующих различным пороговым напряжениям для каждого транзистора в упомянутой ячейке.

Երևան