Object

Title: Особенности спектрального распределения фототока в структурах на основе CdTe

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2003

Volume:

56

Number:

1

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Other title:

Ֆոտոհոսանքի սպեկտրալ բաշխվածության առանձնահատկությունները CdTe կառուցվածքներում; Spectral photocurrent distribution features in structures based on CdTe

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Coverage:

142-148

Abstract:

Исследованы фотоприемные структуры с высокоомной прослойкой на основе CdTe, обладающие сменой знака спектрального фототока. Приведены спектральные зависимости фототока от внешнего напряжения и мощности падающего на образец излучения. В коротковолновой области спектра имеются два максимума, а точка смены знака фототока зависит от напряжения смещения. Показано, что наряду с фоточувствительностью исследуемые структуры обладают также фотометрическими свойствами. Дано физическое объяснение этих особенностей. Հետազոտվել են սպեկտրալ ֆոտոհոսանքի նշանափոխումով օժտված բարձր օհմային շերտով ֆոտոընդունիչային կառուցվածքներ` CdTe–ի հիման վրա: Ներկայացված են ֆոտոհոսանքի սպեկտրալ կախվածությունները արտաքին լարումից ու կլանվող լույսի հզորությունից: Սպեկտրի կարճալիքային հատվածում առկա են երկու մաքսիմումներ, իսկ ֆոտոհոսանքի նշանափոխման կետը խիստ կախված է արտաքին լարումից: Ցույց է տրված, որ հետազոտվող կառուցվածքները, ֆոտոզգայնությանը զուգընթաց, ունեն ֆոտոմետրիկ հատկություններ: Տրված է այդ առանձնահատկությունների ֆիզիկական բացատրությունը: Photodetector structures with a high-resistance layer based on CdTe which possess spectral photocurrent sign change are investigated. Spectral dependences of photocurrent on external voltage and incidenting radiation power on the sample were presented. There are two maxima in the short wave of the spectrum and the point of photocurrent sign change strongly depends on voltage of displacement. It is shown that alongside with photosensitivity the structures to be researched also have photometric properties. The physical explanation to these features is given.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2003-04-15

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:32066

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

Oct 11, 2024

In our library since:

Mar 3, 2020

Number of object content hits:

24

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/35734

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information