Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2003

Volume:

56

Number:

1

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Title:

Особенности спектрального распределения фототока в структурах на основе CdTe

Other title:

Ֆոտոհոսանքի սպեկտրալ բաշխվածության առանձնահատկությունները CdTe կառուցվածքներում; Spectral photocurrent distribution features in structures based on CdTe

Creator:

С. Х. Худавердян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Subject:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

Uncontrolled Keywords:

Խուդավերդյան Ս. Խ. ; Khudaverdyan S. Kh. ; фотоприемные структуры ; энергетическая зонная диаграмма ; спектральная характеристика ; фотогенерация носителей

Coverage:

142-148

Abstract:

Исследованы фотоприемные структуры с высокоомной прослойкой на основе CdTe, обладающие сменой знака спектрального фототока. Приведены спектральные зависимости фототока от внешнего напряжения и мощности падающего на образец излучения. В коротковолновой области спектра имеются два максимума, а точка смены знака фототока зависит от напряжения смещения. Показано, что наряду с фоточувствительностью исследуемые структуры обладают также фотометрическими свойствами. Дано физическое объяснение этих особенностей. Հետազոտվել են սպեկտրալ ֆոտոհոսանքի նշանափոխումով օժտված բարձր օհմային շերտով ֆոտոընդունիչային կառուցվածքներ` CdTe–ի հիման վրա: Ներկայացված են ֆոտոհոսանքի սպեկտրալ կախվածությունները արտաքին լարումից ու կլանվող լույսի հզորությունից: Սպեկտրի կարճալիքային հատվածում առկա են երկու մաքսիմումներ, իսկ ֆոտոհոսանքի նշանափոխման կետը խիստ կախված է արտաքին լարումից: Ցույց է տրված, որ հետազոտվող կառուցվածքները, ֆոտոզգայնությանը զուգընթաց, ունեն ֆոտոմետրիկ հատկություններ: Տրված է այդ առանձնահատկությունների ֆիզիկական բացատրությունը: Photodetector structures with a high-resistance layer based on CdTe which possess spectral photocurrent sign change are investigated. Spectral dependences of photocurrent on external voltage and incidenting radiation power on the sample were presented. There are two maxima in the short wave of the spectrum and the point of photocurrent sign change strongly depends on voltage of displacement. It is shown that alongside with photosensitivity the structures to be researched also have photometric properties. The physical explanation to these features is given.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2003-04-15

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան