Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիւ:

2003

Հատոր:

56

Համար:

1

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Ֆոտոհոսանքի սպեկտրալ բաշխվածության առանձնահատկությունները CdTe կառուցվածքներում; Spectral photocurrent distribution features in structures based on CdTe

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

142-148

Ամփոփում:

Исследованы фотоприемные структуры с высокоомной прослойкой на основе CdTe, обладающие сменой знака спектрального фототока. Приведены спектральные зависимости фототока от внешнего напряжения и мощности падающего на образец излучения. В коротковолновой области спектра имеются два максимума, а точка смены знака фототока зависит от напряжения смещения. Показано, что наряду с фоточувствительностью исследуемые структуры обладают также фотометрическими свойствами. Дано физическое объяснение этих особенностей. Հետազոտվել են սպեկտրալ ֆոտոհոսանքի նշանափոխումով օժտված բարձր օհմային շերտով ֆոտոընդունիչային կառուցվածքներ` CdTe–ի հիման վրա: Ներկայացված են ֆոտոհոսանքի սպեկտրալ կախվածությունները արտաքին լարումից ու կլանվող լույսի հզորությունից: Սպեկտրի կարճալիքային հատվածում առկա են երկու մաքսիմումներ, իսկ ֆոտոհոսանքի նշանափոխման կետը խիստ կախված է արտաքին լարումից: Ցույց է տրված, որ հետազոտվող կառուցվածքները, ֆոտոզգայնությանը զուգընթաց, ունեն ֆոտոմետրիկ հատկություններ: Տրված է այդ առանձնահատկությունների ֆիզիկական բացատրությունը: Photodetector structures with a high-resistance layer based on CdTe which possess spectral photocurrent sign change are investigated. Spectral dependences of photocurrent on external voltage and incidenting radiation power on the sample were presented. There are two maxima in the short wave of the spectrum and the point of photocurrent sign change strongly depends on voltage of displacement. It is shown that alongside with photosensitivity the structures to be researched also have photometric properties. The physical explanation to these features is given.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2003-04-15

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32066

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան