Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիւ:

2001

Հատոր:

54

Համար:

3

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Ծակոտկեն սիլիցիումի շերտով պլանար հետերացում; Planar gettering by the porous silicon layer

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

471-474

Ամփոփում:

Продемонстрирована возможность эффективного геттерирования структурных дефектов и быстродиффундирующих примесных атомов слоями пористого кремния при высокотемпературном отжиге. Ցուցադրված է բարձրջերմաստիճանային թրծման դեպքում ծակոտկեն սիլիցիումի շերտերով արագ դիֆուզվող խառնուրդային ատոմների և կառուցվածքային արատների արդյունավետ հետերացման հնարավորությունը: The possibility of efficient gettering of structural defects and rapidly diffusing impurity atoms by layers of porous silicon during high-temperature annealing is demonstrated.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2001-12-10

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:31956

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան