Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Планарное геттерирование слоем пористого кремния
Այլ վերնագիր:
Ծակոտկեն սիլիցիումի շերտով պլանար հետերացում; Planar gettering by the porous silicon layer
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Խորագիր:
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Այվազյան Գ. Ե. ; Ayvazyan G. E. ; кремний ; поры ; примеси ; дефекты ; геттерирование ; время жизни
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Продемонстрирована возможность эффективного геттерирования структурных дефектов и быстродиффундирующих примесных атомов слоями пористого кремния при высокотемпературном отжиге. Ցուցադրված է բարձրջերմաստիճանային թրծման դեպքում ծակոտկեն սիլիցիումի շերտերով արագ դիֆուզվող խառնուրդային ատոմների և կառուցվածքային արատների արդյունավետ հետերացման հնարավորությունը: The possibility of efficient gettering of structural defects and rapidly diffusing impurity atoms by layers of porous silicon during high-temperature annealing is demonstrated.
Հրատարակության վայրը:
Երևան
Հրատարակիչ:
Ստեղծման ամսաթիվը:
Տեսակ:
Ձևաչափ:
Դասիչ:
Թվայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան