Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2021

Volume:

56

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Additional Information:

Dabaghyan G. A., Matevosyan L. M., Avjyan K. E.

Other title:

Electrical Characteristics and Photoresponse of the "Carbon Nanofilm on Silicon" Heterostructure

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

374–383

Abstract:

Исследованы электрические характеристики и фотоотклик гетероструктуры «углеродная нанопленка на кремнии» полученной методом лазерно-импульсного осаждения, где толщина углеродной нанопленки выбрана из условия максимального просветляющего эффекта подложки. Установлено, что полученный переход выпрямляющий с коэффициентом выпрямления 35 при 1 В. Прямая вольт-амперная характеристика от 0.1 В до 0.35 В удовлетворительно согласуется выражением J = J0exp(eU/ηkT). Увеличение напряжения в прямом направлении приводит к появлению токов ограниченных объемным зарядом (J = AU2). Линеаризация зависимости С –2 – U указывает на резкость распределения примеси в области объемного заряда. Механизм фотоотклика гетероструктуры подобен фотоотклику анизотипных гетероструктур с эфектом «окна». Длинноволновый край (1.1 мкм) фоточувствительности определяется кремниевой подложкой, а поглощение в углеродной нанопленки приводит к дополнительному расширению области фоточувствительности. Гетероструктура обладает равномерной фоточувствительностью на уровне относительного фотоотклика 0.8 в диапазоне длин волн 0.55–1.1 мкм. Коротковолновой хвост достигает до 0.4 мкм.
The electrical characteristics and photoresponse of the “carbon nanofilm on silicon” heterostructure obtained by pulsed-laser deposition, where the thickness of the carbon nanofilm is selected from the condition of the maximum antireflection effect of the substrate, have been investigated. It was found that the obtained heterostructure is rectifying with a rectifying coefficient of 35 at 1 V. The direct current-voltage characteristic from 0.1 V to 0.35 V is in satisfactory agreement with the expression J = J0exp(eU/ηkT). An increase in the voltage in the forward direction leads to the appearance of the space charge-limited currents (J = AU2). Linearization of the С–2 - U dependence indicates the sharpness of the impurity distribution in the space charge region. The mechanism of the photoresponse of the heterostructure is similar to the photoresponse of anisotype heterostructures with the “window” effect. The longwavelength edge (1.1 μm) of the photosensitivity is determined by the silicon substrate, and absorption in the carbon nanofilm leads to an additional expansion of the photosensitivity region. The heterostructure has uniform photosensitivity at the level 0.8 of a relative photoresponse in the wavelength range of 0.55–1.1 μm. The short-wavelength tail reaches up to 0.4 μm.

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:284396

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան