Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2009

Հատոր:

2

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Ծածկույթ:

286-290

Ամփոփում:

In recent two decades, a large research effort has been devoted to quantum dots (QDs), quantum wires and pits due to their modified density of states, fascinating optoelectronic properties and device applications for lasers, photodetectors and other electronic devices. In general, quantum dots have better optical properties than other quantum nanostructures since electrons and holes are trapped in all three dimensions. This leads to a δ-like electronic density of states where the energy levels are totally quantized. It allows better device performance, for instance, to increase infrared photodetectors response and operating temperature, higher gain and lower threshold currents for lasers, as well as higher efficiency of solar cells.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2009

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23249

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան