Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2015

Volume:

50

Number:

2

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Low-frequency noises in the metal–semiconductor contact

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

227-235

Abstract:

Исследованы ВАХ и низкочастотные шумы структур металл–полупроводник при комнатной температуре. Получены ВАХ и спектры низкочастотных шумов диодных структур с барьером Шоттки, изготовленных на основе Fe/n-Si, Cr/n-Si, W/n-Si. Показано, что ВАХ, уровень и частотный индекс шумов сильно зависят от выбора металлического контакта и величины его площади. Ուսունասիրվել են մետաղ–կիսահաղորդիչ կառուցվածքի ՎԱԲ-ը և ցածրհաճախային աղմուկները սենյակային ջերմաստիճանում: Ստացված են Fe/n-Si, Cr/n-Si, W/n-Si հիմքի վրա պատրաստված Շոտկիի արգելքի ՎԱԲ-ը և ցածրհաճախային աղմուկների սպեկտրները: Ցույց է տրված, որ ինչպես ՎԱԲ-ը, այնպես էլ ցածրհաճախային աղմուկների հաճախային գործակիցը խիստ կախված են կոնտակտային մետաղի տեսակից և վերջինիս մակերեսի չափերից: CVC and low-frequency noises of the metal-semiconductor structures at room temperature were investigated. The CVC and low-frequency noise spectra of the diode structures with Schottky barrier prepared on the base of Fe/n-Si, Cr/n-Si and W/n-Si are obtained. It is shown that the CVC, noise level and its frequency index are strongly dependent on the choice of contact metal, and its surface area value.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2015-03-25

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134612

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան