Эффект смещения края поглощения в кремниевой нанопроволоке

Ф. В. Гаспарян; А. А. Аракелян; Г. Д. Хондкарян

Ներբեռնել

Վերնագիր: Эффект смещения края поглощения в кремниевой нанопроволоке

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Կլանման եզրի շեղման երևույթը սիլիցիումային նանոլարում; Shifting effect of the absorption edge in the silicon nanowire

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

464-470

Ամփոփում:

Исследованы темновые и фото вольт–амперные характеристики (ВАХ), спектр поглощения и фоточувствительность полевого транзистора на основе кремниевой нанопроволоки. Հետազոտված են սիլիցիումային նանոլարից պատրաստված դաշտային տրանզիստորի մթնային և լուսային վոլտ-ամպերային բնութագրերը (ՎԱԲ): The dark and photo current–voltage characteristics (CVC), absorption spectrum and photosensitivity of the field effect transistor based on silicon nanowires were investigated.