Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Низкочастотные шумы контакта металл–полупроводник
Այլ վերնագիր:
Low-frequency noises in the metal–semiconductor contact
Ստեղծողը:
Г. Д. Хондкарян ; Ф. В. Гаспарян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics
Չվերահսկուող բանալի բառեր:
Khondkaryan H. D. ; Gasparyan F. V.
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
Исследованы ВАХ и низкочастотные шумы структур металл–полупроводник при комнатной температуре. Получены ВАХ и спектры низкочастотных шумов диодных структур с барьером Шоттки, изготовленных на основе Fe/n-Si, Cr/n-Si, W/n-Si. Показано, что ВАХ, уровень и частотный индекс шумов сильно зависят от выбора металлического контакта и величины его площади. Ուսունասիրվել են մետաղ–կիսահաղորդիչ կառուցվածքի ՎԱԲ-ը և ցածրհաճախային աղմուկները սենյակային ջերմաստիճանում: Ստացված են Fe/n-Si, Cr/n-Si, W/n-Si հիմքի վրա պատրաստված Շոտկիի արգելքի ՎԱԲ-ը և ցածրհաճախային աղմուկների սպեկտրները: Ցույց է տրված, որ ինչպես ՎԱԲ-ը, այնպես էլ ցածրհաճախային աղմուկների հաճախային գործակիցը խիստ կախված են կոնտակտային մետաղի տեսակից և վերջինիս մակերեսի չափերից: CVC and low-frequency noises of the metal-semiconductor structures at room temperature were investigated. The CVC and low-frequency noise spectra of the diode structures with Schottky barrier prepared on the base of Fe/n-Si, Cr/n-Si and W/n-Si are obtained. It is shown that the CVC, noise level and its frequency index are strongly dependent on the choice of contact metal, and its surface area value.