Նիւթ

Վերնագիր: Исследование фотоэлектрических свойств гетеропереходных эпитаксиально наращенных термофотовольтаических элементов

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2014

Հատոր:

49

Համար:

6

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Investigation of photoelectrical properties of epitaxially grown heterojunction termophotovoltaic cells

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

393-399

Ամփոփում:

Методом химического осаждения из паров металло-органических соединений эпитаксиально наращены эффективные образцы InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) фотовольтаических элементов и исследованы их фотоэлектрические свойства․ Effective heterojunction InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) photovoltaic cells’ experimental samples have been epitaxy method grown by chemical deposition from metal-organic combination vapors and their photoelectric properties have been investigated.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2014-12-20

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134573

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

May 5, 2025

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Apr 21, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

17

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147924

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն