Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
В. М. Арутюнян ; Г. Ш. Шмавонян ; О. А. Задоян ; К. М. Гамбарян ; А. М. Задоян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Chemical Physics
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Aroutiounian V. M. ; Shmavonyan G. Sh. ; Zadoyan O. A. ; Gambaryan K. M. ; Zadoyan A M.
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Методом химического осаждения из паров металло-органических соединений эпитаксиально наращены эффективные образцы InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) фотовольтаических элементов и исследованы их фотоэлектрические свойства․ Effective heterojunction InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) photovoltaic cells’ experimental samples have been epitaxy method grown by chemical deposition from metal-organic combination vapors and their photoelectric properties have been investigated.