Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2014

Հատոր:

49

Համար:

6

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Исследование фотоэлектрических свойств гетеропереходных эпитаксиально наращенных термофотовольтаических элементов

Այլ վերնագիր:

Investigation of photoelectrical properties of epitaxially grown heterojunction termophotovoltaic cells

Ստեղծողը:

В. М. Арутюнян ; Г. Ш. Шмавонян ; О. А. Задоян ; К. М. Гамбарян ; А. М. Задоян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Chemical Physics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Aroutiounian V. M. ; Shmavonyan G. Sh. ; Zadoyan O. A. ; Gambaryan K. M. ; Zadoyan A M.

Ծածկույթ:

393-399

Ամփոփում:

Методом химического осаждения из паров металло-органических соединений эпитаксиально наращены эффективные образцы InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) фотовольтаических элементов и исследованы их фотоэлектрические свойства․ Effective heterojunction InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) photovoltaic cells’ experimental samples have been epitaxy method grown by chemical deposition from metal-organic combination vapors and their photoelectric properties have been investigated.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2014-12-20

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան