Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

43

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Անհավասարակշռված լիցքատարների կյանքի տևողությունը p–n-անցումով կիսահաղորդչային դիոդի բազայում ինժեկցիայի կամայական մակարդակի դեպքում; Lifetime of non-equilibrium charge carriers in the base of p–n-junction semiconductor diode at arbitrary injection levels

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

283-292

Ամփոփում:

В приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе полупроводникового диода с p–n-переходом получена формула для расчета времени жизни, пригодная при произвольных уровнях инжекции. p–n-անցումով կիսահաղորդչային դիոդի բազայում անհավասարակշռված լիցքատարների էքսպոնենտային բախշման մոտավորությամբ ստացված է բանաձև` կյանքի տևողությունը հաշվելու համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: In the approximation of exponential distribution of unequilibrium charge carriers in the base of semiconductor p–n-junction diode, a formula for lifetime calculation is obtained, which may be used at arbitrary injection levels.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-07-22

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134109

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան