Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2007

Volume:

42

Number:

1

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Էլեկտրական դաշտի բաշխումը կիսահաղորդչային p-n անցումով դիոդի բազայում; Electric field distribution in the base of a semiconductor p-n junction diode

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

51-56

Abstract:

Получено выражение для распределения электрического поля в базе полупроводникого диода с p-n переходом, справедливое при произвольных уровнях инжекции, в приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе диода. Կիսահաղորդչային p-n անցումով դիոդի համար ստացված է արտահայտություն բազայում էլեկտրական դաշտի բաշխման համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: The electric field distribution in the base of a semiconductor p-n junction diode is obtained, which is valid at arbtrary injection levels, in the exponential distribution approximation for nonequilibrium carriers in the diode base.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2007-01-09

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:133983

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան