Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Other title:
Creator:
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Radiophysics
Uncontrolled Keywords:
Coverage:
Abstract:
В приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе полупроводникового диода с p–n-переходом получена формула для расчета времени жизни, пригодная при произвольных уровнях инжекции. p–n-անցումով կիսահաղորդչային դիոդի բազայում անհավասարակշռված լիցքատարների էքսպոնենտային բախշման մոտավորությամբ ստացված է բանաձև` կյանքի տևողությունը հաշվելու համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: In the approximation of exponential distribution of unequilibrium charge carriers in the base of semiconductor p–n-junction diode, a formula for lifetime calculation is obtained, which may be used at arbitrary injection levels.