Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2008

Volume:

43

Number:

4

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Title:

Влияние взаимной диффузии атомов In и Al на экситонные состояния в квантовых точках InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs

Other title:

In-ի և Al-ի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնային վիճակների վրա nxGa1–xAs/AlyGa1–yAs քվանտային կետերում; Effect of interdiffusion of In and Al atoms on excitonic states in InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs quantum dots

Creator:

В. Н. Мугнецян ; А. А. Киракосян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Electricity and magnetism

Uncontrolled Keywords:

Մուղնեցյան Վ. Ն. ; Կիրակոսյան Ա. Ա. ; Mughnetsyan V. N. ; Kirakosyan A. A.

Coverage:

268-273

Abstract:

Исследовано влияние взаимной диффузии атомов алюминия и индия в квантовой точке InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs на эмиссионную энергию и энергию связи экситона։ Ուսւմնասիրված է ինդիումի և ալյումինիումի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնի առաքման էներգիայի և կապի էներգիայի վրա InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs քվանտային կետում: The effect of interdiffusion of aluminum and indium atoms on the exciton emission energy and binding energy in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots is studied. It is shown that with increasing diffusion length the emission energy increases monotonically, while the binding energy has a maximum.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2008-07-22

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան