Влияние взаимной диффузии атомов In и Al на экситонные состояния в квантовых точках InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs

In-ի և Al-ի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնային վիճակների վրա nxGa1–xAs/AlyGa1–yAs քվանտային կետերում; Effect of interdiffusion of In and Al atoms on excitonic states in InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs quantum dots

В. Н. Мугнецян ; А. А. Киракосян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Electricity and magnetism

Մուղնեցյան Վ. Ն. ; Կիրակոսյան Ա. Ա. ; Mughnetsyan V. N. ; Kirakosyan A. A.

268-273

Исследовано влияние взаимной диффузии атомов алюминия и индия в квантовой точке InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs на эмиссионную энергию и энергию связи экситона։ Ուսւմնասիրված է ինդիումի և ալյումինիումի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնի առաքման էներգիայի և կապի էներգիայի վրա InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs քվանտային կետում: The effect of interdiffusion of aluminum and indium atoms on the exciton emission energy and binding energy in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots is studied. It is shown that with increasing diffusion length the emission energy increases monotonically, while the binding energy has a maximum.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան