Object

Title: О рассеянии электрона на магнитных барьерах

Հրապարակման մանրամասներ:

"ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ" հանդեսը հիմնադրվել է 1944թ.: Լույս է տեսնում տարին 4 անգամ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ = Доклады НАН РА = Reports NAS RA

Հրապարակման ամսաթիվ:

2007

Հատոր:

107

Համար:

1

ISSN:

0321-1339

Պաշտոնական URL:


Լրացուցիչ տեղեկություն:

click here to follow the link

Այլ վերնագիր:

Էլեկտրոնի ցրումը մագնիսական պատնեշների արգելքների վրա / Ռ. Մ. Մովսեսյան , Ա. Ս. Սահակյան։ Electron Scattering on Magnetic Barriers / R. M. Movsessyan, A. S. Sahakyan.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) ; Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) ; Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) ; Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) ; Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) ; Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) ; Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (2018-)

Ծածկույթ:

66-72

Ամփոփում:

Աշխատանքում դիտարկված է չբևեռացված էլեկտրոնների ցրումը մագնիսական արգելքների վրա: Ցույց է տրված, որ երբ հետերոկառուցվածքը պարունակում է երկու մագնիսական պատնեշ, ռեզոնանսային անցման շնորհիվ, անցած էլեկտրոնների բևեռացման աստիճանը մոտ է 100 տոկոսին: The scattering of nonpolarized electrons on magnetic barriers is considered. In the case when the heterostructure contains two magnetic barriers, due to resonance penetratin between them, the possibility to obtain a 100 percent spin polarization of penetrated electrons is investigated.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2007-03-15

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:46235

Դասիչ:

АЖ 144

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

Oct 11, 2024

In our library since:

Mar 5, 2020

Number of object content hits:

24

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/51545

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information