О рассеянии электрона на магнитных барьерах - Համահայկական թուանշային գրադարան

Էլեկտրոնի ցրումը մագնիսական պատնեշների արգելքների վրա / Ռ. Մ. Մովսեսյան , Ա. Ս. Սահակյան։ Electron Scattering on Magnetic Barriers / R. M. Movsessyan, A. S. Sahakyan.

Р. М. Мовсесян ; А. С. Саакян

Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) ; Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) ; Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) ; Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) ; Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) ; Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) ; Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018)

Physics ; Science

магнитный барьер ; резонансные уровни ; спин-магнитное взаимодействие ; трансферматрица ; намагниченность ; спиновая поляризация.

66-72

Աշխատանքում դիտարկված է չբևեռացված էլեկտրոնների ցրումը մագնիսական արգելքների վրա: Ցույց է տրված, որ երբ հետերոկառուցվածքը պարունակում է երկու մագնիսական պատնեշ, ռեզոնանսային անցման շնորհիվ, անցած էլեկտրոնների բևեռացման աստիճանը մոտ է 100 տոկոսին: The scattering of nonpolarized electrons on magnetic barriers is considered. In the case when the heterostructure contains two magnetic barriers, due to resonance penetratin between them, the possibility to obtain a 100 percent spin polarization of penetrated electrons is investigated.

Երևան

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան