Օբյեկտ

Վերնագիր: Optical Response of UV Laser Irradiated Extrinsic Semiconductor

Publication Details:

Established in 2008

Journal or Publication Title:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Date of publication:

2015

Volume:

8

Number:

2

ISSN:

1829-1171

Official URL:


Coverage:

79-84

Abstract:

Fine polished samples of p-silicon were irradiated in ambient air using Excimer Laser and Spectroscopic Ellipsometry was employed to investigate their various optical properties. The changes in optical constants (refractive index and extinction coefficient) and optical band gap energy were noticed in incident wavelength range 500–1000 nm. Both refractive index and extinction coefficient decrease exponentially before and after irradiation. A fall in the optical band gap energy of p-silicon was also observed after laser exposure, which makes the materials suitable for variety of optoelectronics applications.

Date created:

2015-04-12

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:23403

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

56

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26151

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Optical Response of UV Laser Irradiated Extrinsic Semiconductor Dec 13, 2023

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն