Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2015

Հատոր:

8

Համար:

2

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Ծածկոյթ:

79-84

Ամփոփում:

Fine polished samples of p-silicon were irradiated in ambient air using Excimer Laser and Spectroscopic Ellipsometry was employed to investigate their various optical properties. The changes in optical constants (refractive index and extinction coefficient) and optical band gap energy were noticed in incident wavelength range 500–1000 nm. Both refractive index and extinction coefficient decrease exponentially before and after irradiation. A fall in the optical band gap energy of p-silicon was also observed after laser exposure, which makes the materials suitable for variety of optoelectronics applications.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2015-04-12

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23403

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան