Օբյեկտ
Վերնագիր: CALCULATION OF PHASE EQUILIBRIUM FOR LIQUID PHASE EPITAXY OF InAsSbP QUATERNARY ALLOYS ON InAs SUBSTRATE
Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Phase equilibrium for liquid-phase epitaxy growth of InAs1-x-ySbxPy alloys has been calculated. The composition and thickness of grown layers is considered.
Բովանդակություն:
Հրատարակության վայրը:
Թվայնացման հովանավորը:
Ստեղծման ամսաթիվը:
Ձևաչափ:
Նույնացուցիչ:
oai:arar.sci.am:23193
Բնօրինակի գտնվելու վայրը:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Օբյեկտի հավաքածուներ:
Վերջին անգամ ձևափոխված:
Dec 13, 2023
Մեր գրադարանում է սկսած:
Feb 27, 2020
Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:
15
Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:
https://arar.sci.am/publication/25895
Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:
Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։
-
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
-
Armenian Journal of Physics, 2008
-
Armenian Journal of Physics, 2008, vol. 1
-
Armenian Journal of Physics, 2008, vol. 1, № 1
-
Armenian Journal of Physics, 2008, vol. 1, № 2
- THERMOELECTRIC PROPERTIES OF Pb0.85Ge0.15Te SOLID SOLUTION
- ENHANCED TERAHERTZ EMISSION FROM InAs SURFACE BY USE FEMTOSECOND LASER PULSES WITH TILTED INTENSITY FRONT
- ELECTRONIC STATES IN COATED ELLIPSOIDAL QUANTUM LENSES
- INVESTIGATIONS OF GAS-SENSITIVE NANOSIZE ZnO < Al > FILMS
- PREPARATION OF ZnO < AL > NANO-SIZE LAYERS BY MAGNETRON SPUTTERING
- FEATURES OF THE REFRACTIVE INDEX OF POROUS SILICON WITH GRADIENT POROSITY
- HIGHLY EFFICIENT DYE-SENSITIZED SOLAR CELLS BASED ON THE DISCHARGED TiO2 NANOPARTICLES
- MAXIMUM POWER OPERATION OF PV SYSTEM USING FUZZY LOGIC CONTROL
- CALCULATION OF PHASE EQUILIBRIUM FOR LIQUID PHASE EPITAXY OF InAsSbP QUATERNARY ALLOYS ON InAs SUBSTRATE
- SEM AND STM INVESTIGATIONS OF NANOWIRES
- PHYSICS BASED FULL-CHIP SCALE MODELING OF COPPER ELECTROCHEMICAL DEPOSITION
- THRESHOLD VOLTAGE MODEL OF SiC SHORT CHANNEL MOSFET’s WITH DEEP IMPURITY LEVELS AND TRAPS
- INCREASE IN THERMAL RELIABILITY OF INTEGRATED CIRCUITS AT THE STAGE OF PLACEMENT OF CELLS
- COLOR IRIDIZATION AND BACKSCATTERING ELECTRON IMAGING IN THE STUDY OF METAL ALLOY MICROSTRUCTURES
-
Armenian Journal of Physics, 2008, vol. 1, № 3
-
Armenian Journal of Physics, 2008, vol. 1, № 4
-
Armenian Journal of Physics, 2008, vol. 1, № 1
-
Armenian Journal of Physics, 2008, vol. 1
-
Armenian Journal of Physics, 2009
-
Armenian Journal of Physics, 2010
-
Armenian Journal of Physics, 2011
-
Armenian Journal of Physics, 2012
-
Armenian Journal of Physics, 2013
-
Armenian Journal of Physics, 2014
-
Armenian Journal of Physics, 2015
-
Armenian Journal of Physics, 2016
-
Armenian Journal of Physics, 2017
-
Armenian Journal of Physics, 2018
-
Armenian Journal of Physics, 2019
-
Armenian Journal of Physics, 2020
-
Armenian Journal of Physics, 2021
-
Armenian Journal of Physics, 2022
-
Armenian Journal of Physics, 2023
-
Armenian Journal of Physics, 2024
-
Armenian Journal of Physics, 2025
-
Armenian Journal of Physics, 2008
| Հրատարակության անուն | Ամսաթիվ |
|---|---|
| CALCULATION OF PHASE EQUILIBRIUM FOR LIQUID PHASE EPITAXY OF InAsSbP QUATERNARY ALLOYS ON InAs SUBSTRATE | Dec 13, 2023 |
