Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели

С. Л. Арутюнян

Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели

Ներբեռնել

Վերնագիր: Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели

Volume:

Number:

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը թույլ լեգիրացված կիսահաղորդչային քվանտային փոսերի հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա; Features of the fine structure of the fundamental absorption edge in low-doped semiconductor quantum wells with allowance for the Coulomb gap

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

144-150

Abstract:

Исследовано влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в квантовых ямах. Исследована также зависимость коэффициента поглощения квантовой ямы от степени легирования и компенсации образца. Ուսումնասիրված է քվանտային փոսերում կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա: Ուսումնասիրված է նաև կլանման գործակցի կախումը լեգիրացման և համակշռման աստիճանից: The influence of the Coulomb gap on the fine structure of the fundamental absorption edge in quantum wells is investigated. The dependence of the absorption coefficient of a quantum well on the levels of doping and compensation is also studied.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2009-04-15

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134156

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Science Radiophysics Հարությունյան Ս. Լ. Harutyunyan S. L.

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Digital Library > Articles

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 5, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147463

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրատարակության անուն	Ամսաթիվ
Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели	May 5, 2025

Օբյեկտ

Վերնագիր: Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели

Creator:

Type:

Publication Details:

Journal or Publication Title:

Date of publication: