Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2009

Volume:

44

Number:

2

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Title:

Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели

Other title:

Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը թույլ լեգիրացված կիսահաղորդչային քվանտային փոսերի հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա; Features of the fine structure of the fundamental absorption edge in low-doped semiconductor quantum wells with allowance for the Coulomb gap

Creator:

С. Л. Арутюнян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Radiophysics

Uncontrolled Keywords:

Հարությունյան Ս. Լ. ; Harutyunyan S. L.

Coverage:

144-150

Abstract:

Исследовано влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в квантовых ямах. Исследована также зависимость коэффициента поглощения квантовой ямы от степени легирования и компенсации образца. Ուսումնասիրված է քվանտային փոսերում կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա: Ուսումնասիրված է նաև կլանման գործակցի կախումը լեգիրացման և համակշռման աստիճանից: The influence of the Coulomb gap on the fine structure of the fundamental absorption edge in quantum wells is investigated. The dependence of the absorption coefficient of a quantum well on the levels of doping and compensation is also studied.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2009-04-15

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան