Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2009

Volume:

44

Number:

1

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը AIIIBV տիպի կիսահաղորդիչների խառնուրդային կլանման վրա; Influence of the Coulomb gap on the impurity absorption in AIIIBV semiconductors

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

29-34

Abstract:

Используя интерполяционную формулу, которая независимо от степени компенсации адекватно описывает структуру примесной зоны в широком интервале энергиий, получено явное выражение коэффициента поглощения света, связанного с переходами примесная зона–зона проводимости. Վիճակների խտության համար ներմոտարկման բանաձաևի օգնությամբ, որը համարժեքորեն նկարագրում է խառնուրդային գոտու կառուցվածքը լայն էներգիական տիրույթում, ստացված է «խառնուրդային գոտի–հաղորդական գոտի» անցումներով պայմանավորված կլանման գործակցի արտահայտությունը: Using the interpolation formula, an explicit expression is obtained for the light absorption coefficient related to the transitions from the impurity band to the conductivity band is obtained. The interpolation formula adequately describes the impurity band structure in a broad energy range regardless of the degree of compensation.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2009-01-06

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134144

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան