Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1944 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ = Доклады НАН РА = Reports NAS RA

Հրապարակման ամսաթիվ:

2015

Հատոր:

115

Համար:

№ 3

ISSN:

0321-1339

Այլ վերնագիր:

Լիցքավորված դիսլոկացիայի համար Ֆրիդելի գումարման կանոնի մասին / Լ. Բ. Հովակիմյան, Հ. Հ. Մաթևոսյան, Հ. Բ. Ներսիսյան, Կ. Ա. Սարգսյան։ О правиле сумм Фриделя для заряженной дислокации / Л. Б. Овакимян, Г. Г. Матевосян, Г. Б. Нерсисян, К. А. Саргсян.

Ծածկույթ:

227-231

Ամփոփում:

The Friedel phase shift sum rule for an electrically active dislocation line is studied on the basis of the first-order Born-approximation of the scattering theory. A model potential calculation is presented for describing from the standpoint of Friedel’s adjustment procedure the self-consistent screening of a negatively charged acceptor-type edge dislocation in a degenerately doped n-type semiconductor. Ֆրիդելի գումարման կանոնը լիցքավորված դիսլոկացիայի համար հետազոտվում է բախումների քվանտային տեսության Բորնի առաջին մոտավորության հիման վրա: n-տիպի այլասերված կիսահաղորդչում բացասական լիցք կրող եզրային դիսլոկացիայի էկրանավորման խնդիրը դիտարկվում է Ֆրիդելի ինքնահամաձայնեցման ընթացակարգի տեսանկյունից: Правило сумм Фриделя для электрически активной дислокации в кристалле исследуется на основе первого борновского приближения квантовой теории столкновений. Экранирование отрицательно заряженной краевой дислокации в вырожденном полупроводнике n-типа анализируется с точки зрения фриделевской процедуры самосогласования.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2015-09-15

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:46712

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան