Publication Details:
"ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ" հանդեսը հիմնադրվել է 1944թ.: Լույս է տեսնում տարին 4 անգամ:
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Զեկույցներ = Доклады НАН РА = Reports NAS RA
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Title:
On the Friedel Phase Shift Sum Rule for a Charged Dislocation
Other title:
Creator:
L. B. Hovakimian ; H. H. Matevosyan ; H. B. Nersisyan ; K. A. Sargsyan
Contributor(s):
Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) ; Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) ; Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) ; Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) ; Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) ; Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) ; Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (2018-)
Subject:
Uncontrolled Keywords:
charged dislocation ; degenerate semiconductor ; Friedel sum rule ; Born approximation
Coverage:
Abstract:
The Friedel phase shift sum rule for an electrically active dislocation line is studied on the basis of the first-order Born-approximation of the scattering theory. A model potential calculation is presented for describing from the standpoint of Friedel’s adjustment procedure the self-consistent screening of a negatively charged acceptor-type edge dislocation in a degenerately doped n-type semiconductor. Ֆրիդելի գումարման կանոնը լիցքավորված դիսլոկացիայի համար հետազոտվում է բախումների քվանտային տեսության Բորնի առաջին մոտավորության հիման վրա: n-տիպի այլասերված կիսահաղորդչում բացասական լիցք կրող եզրային դիսլոկացիայի էկրանավորման խնդիրը դիտարկվում է Ֆրիդելի ինքնահամաձայնեցման ընթացակարգի տեսանկյունից: Правило сумм Фриделя для электрически активной дислокации в кристалле исследуется на основе первого борновского приближения квантовой теории столкновений. Экранирование отрицательно заряженной краевой дислокации в вырожденном полупроводнике n-типа анализируется с точки зрения фриделевской процедуры самосогласования.
Place of publishing:
Երևան
Publisher:
Date created:
Type:
Format:
Call number:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան