On the Friedel Phase Shift Sum Rule for a Charged Dislocation - Համահայկական թվանշային գրադարան

Լիցքավորված դիսլոկացիայի համար Ֆրիդելի գումարման կանոնի մասին / Լ. Բ. Հովակիմյան, Հ. Հ. Մաթևոսյան, Հ. Բ. Ներսիսյան, Կ. Ա. Սարգսյան։ О правиле сумм Фриделя для заряженной дислокации / Л. Б. Овакимян, Г. Г. Матевосян, Г. Б. Нерсисян, К. А. Саргсян.

L. B. Hovakimian ; H. H. Matevosyan ; H. B. Nersisyan ; K. A. Sargsyan

Պատ․ խմբ.՝ Վ. Հ․ Համբարձումյան (1944-1959) ; Մ․ Մ․ Ջրբաշյան (1960-1965) ; Ա․ Գ․ Նազարով (1966-1983) ; Պատ․ խմբ․ տեղակալ՝ Վ․ Հ․ Ղազարյան (1983-1986) ; Պատ․ խմբ․՝ Դ․ Մ․ Սեդրակյան (1987-1999) ; Գլխավոր խմբ․՝ Ս․ Ա․ Համբարձումյան (2000-2004) ; Վ․ Ս․ Զաքարյան (2005-2018) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (2018-)

Physics ; Science

charged dislocation ; degenerate semiconductor ; Friedel sum rule ; Born approximation

227-231

The Friedel phase shift sum rule for an electrically active dislocation line is studied on the basis of the first-order Born-approximation of the scattering theory. A model potential calculation is presented for describing from the standpoint of Friedel’s adjustment procedure the self-consistent screening of a negatively charged acceptor-type edge dislocation in a degenerately doped n-type semiconductor. Ֆրիդելի գումարման կանոնը լիցքավորված դիսլոկացիայի համար հետազոտվում է բախումների քվանտային տեսության Բորնի առաջին մոտավորության հիման վրա: n-տիպի այլասերված կիսահաղորդչում բացասական լիցք կրող եզրային դիսլոկացիայի էկրանավորման խնդիրը դիտարկվում է Ֆրիդելի ինքնահամաձայնեցման ընթացակարգի տեսանկյունից: Правило сумм Фриделя для электрически активной дислокации в кристалле исследуется на основе первого борновского приближения квантовой теории столкновений. Экранирование отрицательно заряженной краевой дислокации в вырожденном полупроводнике n-типа анализируется с точки зрения фриделевской процедуры самосогласования.

Երևան

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան