Օբյեկտ

Վերնագիր: Crossover from the Mott Variable Range Hopping Conduction Regimeto Nearest Neighbor Site Hopping Regime in ZnSxSe1-x Thin Films

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2023

Հատոր:

16

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

Laboratory of Energetic Engineering and Materials, Faculty of Sciences Ibn Tofail, Kenitra, Morocco. ; Physics department, Faculty of Sciences of Agadir, BP 8106, 80000 Agadir, Morocco. ; Laboratory of LSTIC, Physics Department, Faculty of Sciences, Chouaib Doukkali, El jadida, Morocco.

Ծածկույթ:

7-12

Ամփոփում:

In this work, we study the behavior of resistivity as a function of temperature and for several samples of ZnSxSe1-x thin films with x = 0, 0.2, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 and 1.0 respectively. In fact, we re-analyze in our investigation experimental measurements obtained by M. Popa et al. [1] in the range of temperature from 300 K to 500 K. We showed that the resistivity follows a nearest neighbor site hopping conduction mechanism with ��=���������� (����������) for very high temperatures and Mott variable range hopping conduction with ��=���������� (������)��/�� for relatively low temperatures. The crossover between the two regimes can be explained by the competition between the localization length scale ��������and the hopping length scale ��������.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար ; oai:arar.sci.am:359434

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

May 18, 2023

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

94

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/388590

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն