Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Ստեղծողը:
Mounir, E. ; Mabchour, H. ; Ennajh, D. ; El oujdi, A. ; El kaaouachi, A. ; Ait Hammou, B. ; Echchelh, A. ; Dlimi, S.
Համատեղ հեղինակները:
Laboratory of Energetic Engineering and Materials, Faculty of Sciences Ibn Tofail, Kenitra, Morocco. ; Physics department, Faculty of Sciences of Agadir, BP 8106, 80000 Agadir, Morocco. ; Laboratory of LSTIC, Physics Department, Faculty of Sciences, Chouaib Doukkali, El jadida, Morocco.
Խորագիր:
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Variable Range Hopping ; localization length ; hopping length ; thin films
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
In this work, we study the behavior of resistivity as a function of temperature and for several samples of ZnSxSe1-x thin films with x = 0, 0.2, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 and 1.0 respectively. In fact, we re-analyze in our investigation experimental measurements obtained by M. Popa et al. [1] in the range of temperature from 300 K to 500 K. We showed that the resistivity follows a nearest neighbor site hopping conduction mechanism with ��=���������� (����������) for very high temperatures and Mott variable range hopping conduction with ��=���������� (������)��/�� for relatively low temperatures. The crossover between the two regimes can be explained by the competition between the localization length scale ��������and the hopping length scale ��������.
Տեսակ:
Ձևաչափ:
Նույնացուցիչ:
սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար