Օբյեկտ

Վերնագիր: Modeling of electrostatics and drain current SOI FinFET

Ստեղծողը:

A. E. Yesayan

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2018

Հատոր:

71

Համար:

3

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Էլեկտրաստատիկայի և ելքային հոսանքի մոդելավորումը SOI FinFET-ում / Եսայան Ա.Է. Моделирование электростатики и выходной тока SOI FinFET / Есаян А.Э.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

330-340

Ամփոփում:

An analytical expression is obtained for 2D electrostatic potential in Tri-Gate SOI FinFET in weak and moderate inversion regimes.Ստացվել է անալիտիկ արտահայտություն երկչափ էլեկտրաստատիկ պոտենցիալի համար եռակի փականով SOI FinFET-ում:Получено аналитическое выражение для двумерного электростатического потенциала в трехзатворном SOI FinFET при слабой и умеренной инверсии.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2018-09-01

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:33186

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Oct 11, 2024

Մեր գրադարանում է սկսած:

Mar 3, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

20

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/36944

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Modeling of electrostatics and drain current SOI FinFET Oct 11, 2024

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն