Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Modeling of electrostatics and drain current SOI FinFET
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Խորագիր:
Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
SOI FinFET ; MOSFET ; undoped body ; Tri-gate FET ; threshold voltage ; potential model.
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
An analytical expression is obtained for 2D electrostatic potential in Tri-Gate SOI FinFET in weak and moderate inversion regimes.Ստացվել է անալիտիկ արտահայտություն երկչափ էլեկտրաստատիկ պոտենցիալի համար եռակի փականով SOI FinFET-ում:Получено аналитическое выражение для двумерного электростатического потенциала в трехзатворном SOI FinFET при слабой и умеренной инверсии.
Հրատարակության վայրը:
Երևան
Հրատարակիչ:
Ստեղծման ամսաթիվը:
Տեսակ:
Ձևաչափ:
Դասիչ:
Թվայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան