V. Sh. Melikyan ; Hovhannisyan, A. S. ; S. V. Gavrilov ; V. K. Aharonyan ; N. K. Aslanyan
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Nowadays moving termination resistor from outside onto die is very beneficial from view of minimizing noises and saving cost. In this work new voltage-controlled CMOS active resistor aimed at on-chip termination is proposed. With current–voltage and resistance-voltage characteristics showing that this on-chip active termination resistor has good linearity across a wide range, and being suitable for analog impedance control technique using a feedback loop it is proven that it could be applied for USB transmitter. It is obtained that compared to other MOS only on-chip active resistors the proposed new resistor ensures about 20% of better linearity. Ներկայումս փոխանջատման ռեզիստորի տեղակայումը բյուրեղի վրա օգնում է նվազագույնի հասցնել ելքային ազդանշանի վրա ազդող աղմուկները և տնտեսելարտադրման ծախսերը: Առաջարկված է նորն երբյուրեղային փոխանջատման ԿՄՕԿ ակտիվ ռեզիստոր: Մոդելավորման արդյունքում ստացված հոսանք-լարում, դիմադրություն-լարում կախումների միջոցով ցույց է տրված, որ առաջարկվող ռեզիստորն ունի լավ գծայնություն լարման փոփոխման թույլատրելի միջակայքում և, ղեկավարվելով անալոգային եղանակով (փականային լարման միջոցով), կարող է կիրառվել hաջորդական համապիտանի դողի (ՀՀԴ) հաղորդչի ելքում: Ցույց է տրված, որ ներկայացվող ռեզիստորն ապահովում է մոտ 20% ավելի լավ գծայնություն` համեմատած այլ՝ միայն ՄՕԿ կառուցվածքների վրա հիմնված ներբյուրեղային ռեզիստորների հետ: В современных интегральных схемах использование внутрикристальных резисторов выгодно с точки зрения минимизации шумов и экономии средств. В данной работе предлагается новый внутрикристальный и управляемый напряжением КМОП резистор терминации. С помощью вольт-амперных характеристик доказано, что предложенный резистор обладает хорошей линейностью в допускаемом диапазоне напряжения и может применяться для передатчика универсальной последовательной шины. Также показано, что предложенный резистор обладает лучшей линейностью (~20%) при низких напряжениях.
Երևան
oai:arar.sci.am:32833
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Oct 11, 2024
Mar 3, 2020
34
https://arar.sci.am/publication/36555
Հրատարակութեան անունը | Թուական |
---|---|
On-die cmos termination resistor for USB transmitter | Oct 11, 2024 |
V. Sh. Melikyan K. W. Movsisyan Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
V. Sh. Melikyan A. V. Avetisyan K. H. Safaryan Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
V. Sh. Melikyan S. A. Harutyunyan K. H. Safaryan M. V. Bazikyan Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
V. Sh. Melikyan H. P. Petrosyan A. M. Durgaryan E. H. Babayan N. Kh. Aslanyan Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Melikyan, V. Sh. Kagramanyan, E. R. Babajanyan, H. A. Petrosyan, K. O. Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
V. Sh. Melikyan N. S. Eminyan S. G. Chobanyan N. H. Beglaryan Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
V. Sh. Melikyan H. H. Dingchyan A. S. Sahakyan A. G. Hayrapetyan V. S. Babayan A. S. Martirosyan Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Ghazaryan, A. V. Sagradyan, S. I. Գլխավոր խմբագիր՝ Հ. Ս. Ծպնեցյան