Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2010

Հատոր:

63

Համար:

1

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

ՍԻԼԻՑԻՈՒՄԻ ՄԻԱԲՅՈՒՐԵՂՆԵՐՈՒՄ ՌԱԴԻԱՑԻՈՆ ԱՐԱՏՆԵՐԻ ԽՏՈՒԹՅԱՆ ՈՐՈՇՄԱՆ ՌԵՆՏԳԵՆԱԻՆՏԵՐՖԵՐԱՉԱՓԱԿԱՆ ՄԵԹՈԴ / Ա. Հ. ԱԲՈՅԱՆ: X-RAY INTERFEROMETRIC METHOD OF DEFINING RADIATION DEFECT DENSITY IN SILICON MONOCRYSTALS / A. H. ABOYAN.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

35-41

Ամփոփում:

Теоретически обоснован и экспериментально реализован рентгеноинтерферометрический метод определения плотности радиационных точечных дефектов в зависимости от дозы и глубины проникновения электронного облучения с использованием трехкристального интерферометра, изготовленного из совершенного монокристалла кремния с отра¬жающими плоскостями (110). По муаровым картинам определены относительные деформации и вычислена плотность радиационных дефектов в зависимости от дозы облучения быстрыми электронами энергией 8 МэВ.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2010-07-10

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32671

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան