Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիւ:

2009

Հատոր:

62

Համար:

1

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

РАЗРАБОТКА СХЕМЫ РЕЗИСТОРНОЙ МАТРИЦЫ, УПРАВЛЯЕМОЙ МОП ТРАНЗИСТОРАМИ / Д. А. ШАХКАМЯН. DEVELOPMENT OF RESISTOR MATRIX SCHEME CONTROLLED BY MOS TRANSISTORS / D. A. SHAGHGAMYAN.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

61-68

Ամփոփում:

Բարձր արագագործության միկրոէլեկտրոնային սարքերի մուտքի/ելքի հանգույցի դիմադրությունները պետք է համաձայնեցված լինեն արտաքին միջմիա¬ցումների ալիքային դիմադրությունների հետ: Համաձայնեցման նպատակով կիրառվում է ՄՕԿ տրանզիստորներով կառավարվող ռեզիստորներից բաղկացած ճյուղերով հանգույց (ռեզիստորային մատրից, ՌՄ), որտեղ ճյուղերի համապատաս¬խան միացումներով կարելի է ապահովել պահանջվող թույլտվածքով համարժեք դիմադրություն: Բերվում են ճյուղերի ռեզիստորների դիմադրությունների որոշման բանաձևերը և կառավարման հանգույցի սխեման:

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2009-03-10

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32606

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան