Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Extremely broadband InGaAsP/InP superluminescent diodes
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Խորագիր:
Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
ՇմավոնյաՆ Գ. Շ. ; Шмавонян Г. Ш. ; growth ; thin film ; surfactant mediated growth
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
For superluminescent diodes fabricated on the substrate with five 6 nm and two 15 nm InGaAsP quantum wells, a very broad emission spectrum is obtained. The spectral width is nearly 400 nm, covering the range from 1250 nm to 1650 nm. Սուպերլյումինեսցենտային դիոդները, որոնք պատրաստվել են հինգ 6 նմ և երկու 15 նմ լայնությամբ InGaAsP քվանտային փոսեր ունեցող հարթակի վրա, ունեն ճառագայթման շատ լայն սպեկտր: Սպեկտրային լայնությունը կազմում է մոտ 400 նմ, որն ընդգրկում է 1250 նմ-ից 1650 նմ տիրույթը: Для суперлюминесцентныx диодов, изготовленных на подложке с пятью 6-нaнометровыми и двумя 15-нaнометровыми InGaAsP квантовыми ямами, получен широкий эмиссионный спектр. Спектральная ширина составляет ~ 400 нм, которая покрывает область от 1250 нм до 1650 нм.
Հրատարակության վայրը:
Երևան
Հրատարակիչ:
Ստեղծման ամսաթիվը:
Տեսակ:
Ձևաչափ:
Դասիչ:
Թվայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան