Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2007

Հատոր:

60

Համար:

1

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Extremely broadband InGaAsP/InP superluminescent diodes

Այլ վերնագիր:

Ծայրահեղ լայն InGaAsP/InP սուպերլյումինեսցենտային դիոդներ; Экстремально-широкие InGaAsP/InP cуперлюминесцентные диоды

Ստեղծողը:

G. Sh. Shmavonyan

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Խորագիր:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

ՇմավոնյաՆ Գ. Շ. ; Шмавонян Г. Ш. ; growth ; thin film ; surfactant mediated growth

Ծածկույթ:

153-156

Ամփոփում:

For superluminescent diodes fabricated on the substrate with five 6 nm and two 15 nm InGaAsP quantum wells, a very broad emission spectrum is obtained. The spectral width is nearly 400 nm, covering the range from 1250 nm to 1650 nm. Սուպերլյումինեսցենտային դիոդները, որոնք պատրաստվել են հինգ 6 նմ և երկու 15 նմ լայնությամբ InGaAsP քվանտային փոսեր ունեցող հարթակի վրա, ունեն ճառագայթման շատ լայն սպեկտր: Սպեկտրային լայնությունը կազմում է մոտ 400 նմ, որն ընդգրկում է 1250 նմ-ից 1650 նմ տիրույթը: Для суперлюминесцентныx диодов, изготовленных на подложке с пятью 6-нaнометровыми и двумя 15-нaнометровыми InGaAsP квантовыми ямами, получен широкий эмиссионный спектр. Спектральная ширина составляет ~ 400 нм, которая покрывает область от 1250 нм до 1650 нм.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2007-01-30

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան