Publication Details:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Extremely broadband InGaAsP/InP superluminescent diodes
Other title:
Creator:
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Subject:
Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology
Uncontrolled Keywords:
ՇմավոնյաՆ Գ. Շ. ; Шмавонян Г. Ш. ; growth ; thin film ; surfactant mediated growth
Coverage:
Abstract:
For superluminescent diodes fabricated on the substrate with five 6 nm and two 15 nm InGaAsP quantum wells, a very broad emission spectrum is obtained. The spectral width is nearly 400 nm, covering the range from 1250 nm to 1650 nm. Սուպերլյումինեսցենտային դիոդները, որոնք պատրաստվել են հինգ 6 նմ և երկու 15 նմ լայնությամբ InGaAsP քվանտային փոսեր ունեցող հարթակի վրա, ունեն ճառագայթման շատ լայն սպեկտր: Սպեկտրային լայնությունը կազմում է մոտ 400 նմ, որն ընդգրկում է 1250 նմ-ից 1650 նմ տիրույթը: Для суперлюминесцентныx диодов, изготовленных на подложке с пятью 6-нaнометровыми и двумя 15-нaнометровыми InGaAsP квантовыми ямами, получен широкий эмиссионный спектр. Спектральная ширина составляет ~ 400 нм, которая покрывает область от 1250 нм до 1650 нм.
Place of publishing:
Երևան
Publisher:
Date created:
Type:
Format:
Call number:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան