Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2021

Հատոր:

74

Համար:

4

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Մոմջյան, Ա. Մ., Момджян А. М.

Այլ վերնագիր:

Ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի համար նոր ընթերցող ուժեղարար` հզորության նվազեցման մեթոդի կիրառմամբ ; Новый считывающий усилитель с применением метода уменьшения рассеиваемой мощности для статических оперативных запоминающих устройств

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

457-463

Ամփոփում:

A voltage latch sense amplifier by applying the power consumption reduction method is introduced. The presented sense amplifier is compared with the classical voltage latch-type sense amplifier and an amplifier with a leakage control (LECTOR) technique is applied. The designs are carried out by 14 nm FinFET technology. The results of simulations show that in the case of the proposed design, the power dissipation and propagation delay is improved. Simulation is performed for typical-typical (tt), slow-slow (ss), and fast-fast (ff), process voltage temperature (PVT) corners.
Ներկայացված է նոր լաչ ընթերցող ուժեղարար՝ հզորության նվազեցման միջոցի կիրառմամբ։ Զգայուն ուժեղարարը համեմատվել է դասական լարման լաչ և կորստի հոսանքի կառավարման (ԼԵԿՏՈՐ) մեթոդի կիրառմամբ ուժեղարարի հետ։ Նախագծումը կատարվել է 14նմ FinFET տեխնոլոգիայով։ Նմանակման արդյունքները ցույց են տալիս, որ առաջարկված նախագծի դեպքում ունենք բարելավված հզորության ցրում և հապաղում։ Նմանակումները կատարվել են տիպային-տիպային (tt), դանդաղդանդաղ, արագարագ գործընթաց, լարում, ջերմաստիճան (ԳԼՋ) եզրային պարամետրերով։
Представлена новая схема чувствительного усилителя типа латч с применением метода уменьшения энергопотребления. Проведено сравнение предложенного чувствительного усилителя с классическим усилителем типа латч и с усилителем, к которому применена техника контроля утечного тока (ЛЕКТОР). Схема разработана по технологии FinFET 14 нм. Результаты симуляции схемы показывают, что в случае предложенной схемы были улучшены рассеиваемая мощность и задержка распространения. Выполнено моделирование с применением следующих граничных значений по напряжению и температуре: типичное-типичное, медленное-медленное и быстрое-быстрое.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:324307

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան