Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Date of publication:

2021

Volume:

74

Number:

4

ISSN:

0002-306X

Official URL:

Additional Information:

Մոմջյան, Ա. Մ., Момджян А. М.

Other title:

Ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքի համար նոր ընթերցող ուժեղարար` հզորության նվազեցման մեթոդի կիրառմամբ ; Новый считывающий усилитель с применением метода уменьшения рассеиваемой мощности для статических оперативных запоминающих устройств

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Coverage:

457-463

Abstract:

A voltage latch sense amplifier by applying the power consumption reduction method is introduced. The presented sense amplifier is compared with the classical voltage latch-type sense amplifier and an amplifier with a leakage control (LECTOR) technique is applied. The designs are carried out by 14 nm FinFET technology. The results of simulations show that in the case of the proposed design, the power dissipation and propagation delay is improved. Simulation is performed for typical-typical (tt), slow-slow (ss), and fast-fast (ff), process voltage temperature (PVT) corners.
Ներկայացված է նոր լաչ ընթերցող ուժեղարար՝ հզորության նվազեցման միջոցի կիրառմամբ։ Զգայուն ուժեղարարը համեմատվել է դասական լարման լաչ և կորստի հոսանքի կառավարման (ԼԵԿՏՈՐ) մեթոդի կիրառմամբ ուժեղարարի հետ։ Նախագծումը կատարվել է 14նմ FinFET տեխնոլոգիայով։ Նմանակման արդյունքները ցույց են տալիս, որ առաջարկված նախագծի դեպքում ունենք բարելավված հզորության ցրում և հապաղում։ Նմանակումները կատարվել են տիպային-տիպային (tt), դանդաղդանդաղ, արագարագ գործընթաց, լարում, ջերմաստիճան (ԳԼՋ) եզրային պարամետրերով։
Представлена новая схема чувствительного усилителя типа латч с применением метода уменьшения энергопотребления. Проведено сравнение предложенного чувствительного усилителя с классическим усилителем типа латч и с усилителем, к которому применена техника контроля утечного тока (ЛЕКТОР). Схема разработана по технологии FinFET 14 нм. Результаты симуляции схемы показывают, что в случае предложенной схемы были улучшены рассеиваемая мощность и задержка распространения. Выполнено моделирование с применением следующих граничных значений по напряжению и температуре: типичное-типичное, медленное-медленное и быстрое-быстрое.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:324307

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան