Object

Title: Атомарно-тонкие слои MoS2, выращенные методом импульсно-лазерного осаждения

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2021

Volume:

56

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Additional Information:

Petrosyan S. G., Khachatryan A. M.

Other title:

Atomically thin layers of MoS2 grown by the method of pulsed laser deposition

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

356–363

Abstract:

В работе приведены результаты по синтезу и исследованию свойств монослойных и многослойных пленок MoS2, полученных с помощью импульснолазерного осажденияна на стеклянных подложках. Для характеристики структурных, морфологических, оптических и электрических свойств пленок были использованы атомно-силовая микроскопия (AFM), рентгеновская дифрактометрия, спектроскопия комбинационного рассеяния, оптическое поглощение, фотолюминесценция и холловские измерения. Обнаруженные экспериментальные особенности ультратонких пленок MoS2 свидетельствуют об эволюции всех свойств такого квзидвумерного материала с ростом числа атомных слоев. В пределе толщин в один-два монослоя материал становится прямозонным, причем оптическое поглощение и фотолюминесценция при комнатной температуре обусловлены генерацией и рекомбинацией двумерных экситонов, имеющих энергию связи порядка 0.45 эВ. В зависимости от режимов осаждения слои могут содержат вакансии или избыток атомов серы, проводящие к проводимости n- или p-типов, соответственно.
This paper presents the results on the synthesis and study of the properties of monolayer and multilayer MoS2 films obtained by pulsed laser deposition on glass substrates. Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffractometry, Raman spectroscopy, optical absorption, photoluminescence and Hall measurements were used to characterize the structural, morphological, optical and electrical properties of the films. The observed experimental features of ultra-thin MoS2 films indicate the evolution of all properties of such a quasi-two-dimensional material with an increase in the number of atomic layers. In the limit of one - two monolayer thicknesses, the material becomes direct-gap, and optical absorption and photoluminescence at room temperature are due to the generation and recombination of two-dimensional excitons with a binding energy of the order of 0.45 eV. Depending on the deposition regimes, the layers may contain vacancies or an excess of sulfur atoms, leading to the n- or p-type conductivity, respectively.

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:284394

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Oct 27, 2021

Number of object content hits:

90

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/310009

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information