Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2021

Հատոր:

74

Համար:

2

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Մխիթարյան Ա. Խ., Հովհաննիսյան Վ. Դ., Գրիգորյան Հ. Տ., Գրիգորյան Մ. Տ., Ավեստիսյան Ա. Ա., Мхитарян А. Х., Оганнисян В. Д., Григорян А. Т., Григорян М. Т.,Аветисян А. А.

Այլ վերնագիր:

Ջերմաստիճանի շեղման փոխհատուցման եղանակը բարձր արագությամբ հաղորդիչ հագույցում ; Метод компенсации температурного дрейфа в высокоскоростном приемнике

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

189-196

Ամփոփում:

The temperature drift impact compensation method in high-speed SerDes applications is proposed in this paper. The operating temperature range of modern VLSI circuits is -40...125°C. During the normal operation modes of integrated circuits, the ambient temperature may have big variations. Based on the SPICE simulation results, the impedance of MOSFET transistor varies in the range of -20% to 13% affecting the reference current generation circuits’ temperature stabilities. Based on the proposed solution, an analog-to-digital conversion algorithm detects the variation of reference currents during the operation period of integrated circuits due to the temperature drift impact, and a digital algorithm compensates that impact. The simulation results show that the variation of the total current due to the temperature drift is reduced by 22%. The solution is essential for the high-speed receivers in the sensitive applications such as UAV systems, automobiles. aircrafts where ambient temperature may vary drastically and in wide ranges.
Ներկայացված է շրջակա միջավայրի ջերմաստիճանի փոփոխության ազդեցության նվազարկման մեթոդ արագագործ տվյալների հաջորդական փոխանցման կապերում։ Ժամանակակից ինտեգրալ սխեմաներում աշխատանքային ջերմաստիճանը սահմանվում է -40-ից 125°C միջակայքում։ Մինչդեռ աշխատանքային ռեժիմում գտնվող ինտեգրալ սխեմաների արտաքին միջավայրի ջերմաստիճանը կարող է դրսևորել մեծ տատանումներ։ SPICE մոդելավորման արդյունքները ցույց են տվել, որ ՄՕԿ տրանզիստորի դիմադրությունը փոփոխվում է -20%-ից +13% միջակայքում, որի հետևանքվ նվազում է հենակային հոսանքի աղբյուրների կայունությունը։ Առաջարկվող լուծման շրջանակներում մշակված ալգորիթմը և իրականացման սխեման ցույց են տալիս արտաքին ջերմաստիճանի փոփոխության արդյունքում ի հայտ եկող հենակային հոսանքի փոփոխությունները և անալոգաթվային կերպափոխման հիման վրա կոմպենսացնում են այդ ազդեցությունները։ Մոդելավորման արդյունքները ցույց են տվել, որ ջերմաստիճանի տատանման հետևանքով առաջացող հենակային հոսանքի փոփոխությունը նվազեցվել է 22%-ով։ Առաջարկված լուծումը առանցքային դեր ունի արագագործ ընդունիչներում, որոնք օգտագործվում են զգայուն համակարգերում՝ ԱԹՍ-երում, մեքենաշինության մեջ, օդանավերում, որտեղ շրջակա միջավայրի ջերմատիճանը կարող է կտրուկ փոփոխվել մեծ միջակայքերում։
Предлагается метод компенсации воздействия температурного дрейфа в высокоскоростных приложениях SerDes. Диапазон рабочих температур современных сверх- больших интегральных схем (СБИС) составляет -40...125°C, в то время как в нормальных режимах работы интегральных схем температура окружающей среды может сильно колебаться. На основе результатов моделирования SPICE импеданс MOSFET- транзистора варьируется в диапазоне от -20% до 13%, что влияет на температурную стабильность схем генерации эталонного тока. На основе предложенного решения алгоритм аналого-цифрового преобразования обнаруживает изменение опорных токов в течение периода работы интегральных схем из-за воздействия температурного дрейфа, а цифровой алгоритм компенсирует это влияние. Результаты моделирования показали, что изменение полного тока из-за температурного дрейфа уменьшилось на 22%. Предложенное решение необходимо для высокоскоростных приемников в таких приложениях, как системы БПЛА, автомобили, самолеты, где температура окружающей среды может колебаться в больших пределах.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:277007

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան